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IXFR34N80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 416W(Tc) 20V 4V@8mA 270nC@ 10 V 1个N沟道 800V 240mΩ@ 17A,10V 28A 7.5nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: ZT-IXFR34N80
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR34N80

IXFR34N80概述


    产品简介


    IXYS Corporation的IXFR34N80是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(场效应晶体管)。它具有快恢复二极管,专为高频开关应用设计。这款电子元器件的主要功能包括高功率密度、快速响应时间和高可靠性。IXFR34N80广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和共振模式电源、直流斩波器以及交流电机驱动等领域。

    技术参数


    以下是IXFR34N80的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最大值/额定值 |

    | VDSS(漏源击穿电压) | 800 V |
    | VDGR(栅极-阴极击穿电压)| 800 V |
    | VGSS(栅极击穿电压) | ±20 V |
    | VGSM(栅极瞬态电压) | ±30 V |
    | ID(连续漏电流) | 28 A |
    | IDM(脉冲漏电流) | 136 A |
    | IA(工作电流) | 34 A |
    | EAS(雪崩能量) | 3 J |
    | dv/dt(最大上升速率) | 5 V/ns |
    | PD(功耗) | 416 W |
    | TJ(结温) | -55 ... +150 °C |
    | TJM(最高结温) | 150 °C |
    | Tstg(储存温度) | -55 ... +150 °C |
    | TL(焊锡时最大引线温度)| 300 °C |
    | TSOLD(塑料体焊接温度) | 260 °C |
    | VISOL(隔离电压) | 2500 V |
    | FC(安装力) | 20..120/4.5..27 N/lb |
    | 重量 | 5 g |

    产品特点和优势


    IXFR34N80具备多项独特功能和优势,使其在同类产品中脱颖而出:
    - 硅芯片直接铜键合基板(DCB):提高了热性能和电气性能。
    - 隔离安装表面:增强了电气隔离性能,适用于需要高可靠性的应用。
    - 低本征栅极电阻:降低了栅极损耗,提高了开关速度。
    - 2500V电气隔离:确保了安全可靠的运行环境。
    - 雪崩耐受能力:提高了可靠性,适用于严苛的工作条件。
    - 快速本征整流器:减少了反向恢复时间,提高了效率。
    - 低RDS(on):减小导通电阻,提高了能效。
    - 低源漏电容:减少了寄生效应,提高了开关性能。
    - 低封装电感:减小了杂散电感,提高了高频工作的稳定性。
    这些特点使IXFR34N80在高功率密度、易于安装和空间节省方面具有明显的优势。

    应用案例和使用建议


    IXFR34N80被广泛应用于多种领域,例如:
    - 直流-直流转换器:可以提高转换效率,减少发热。
    - 电池充电器:提供稳定的充电电流,延长电池寿命。
    - 开关模式和共振模式电源:适应各种高频应用场景。
    - 直流斩波器:实现精确的控制和高效的转换。
    - 交流电机驱动:提高电机效率和响应速度。
    使用建议:
    - 在选择辅助电路时,考虑栅极电阻的大小,以平衡开关速度和功耗。
    - 使用适当的散热设计,特别是在高电流和高温条件下运行时。
    - 在高频应用中,注意减小寄生电感,以避免不必要的振荡。

    兼容性和支持


    IXFR34N80采用ISOPLUS247封装,具有良好的兼容性,可与其他标准器件配合使用。IXYS公司提供全面的技术支持,包括详细的应用指南和技术文档,以帮助用户充分发挥产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关频率过高导致过热?
    - A: 降低开关频率,优化散热设计,使用更大的散热片或散热器。
    2. Q: 开关过程中出现噪声?
    - A: 选择合适的栅极电阻值,添加旁路电容,以减小噪声干扰。
    3. Q: 高频应用时开关速度不够快?
    - A: 减少封装电感,增加栅极电阻,确保栅极驱动电路的性能。

    总结和推荐


    IXFR34N80是一款集高功率密度、快速响应时间和高可靠性于一身的高性能N沟道增强型MOSFET。其独特的功能和优势使其在多个应用领域表现出色。推荐在需要高效、可靠的电力转换应用中使用IXFR34N80,以提升系统整体性能和效率。

IXFR34N80参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Vds-漏源极击穿电压 800V
最大功率耗散 416W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.5nF@25V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 270nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 17A,10V
Id-连续漏极电流 28A
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFR34N80厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR34N80数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR34N80 IXFR34N80数据手册

IXFR34N80封装设计

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