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IXTP1R4N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 63W(Tc) 20V 4.5V@ 50µA 17.8nC@ 10V 1个N沟道 1KV 11Ω@ 500mA,10V 1.4A 450pF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: 747-IXTP1R4N100P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP1R4N100P

IXTP1R4N100P概述

    IXTY1R4N100P, IXTA1R4N100P, IXTP1R4N100P 技术手册解析

    产品简介


    IXTY1R4N100P, IXTA1R4N100P, IXTP1R4N100P 是由IXYS公司生产的N-沟道增强型功率MOSFET。这些器件适用于高电压、大电流的应用场景,如直流-直流转换器、开关模式和共振模式电源供应、交流和直流电机驱动、激光驱动以及机器人和伺服控制系统等。它们以低栅极电荷(QG)和快速内建整流器为特点,提供高效能、高可靠性以及紧凑的设计。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 击穿电压(VDSS):1000V
    - 最大连续漏极电流(ID25):1.4A
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 11.8Ω
    - 栅极对源极绝缘耐压(VGS(th)):2.5V ~ 4.5V
    - 栅极电荷(Qg(on)):17.8nC
    - 门极开启时间(td(on)):25ns
    - 关断时间(td(off)):65ns
    - 节点温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 封装重量(TO-252/TO-263/TO-220):分别为0.35g、2.50g、3.00g
    - 极限参数:
    - 持续栅极电压(VGSS):±20V
    - 瞬态栅极电压(VGSM):±30V
    - 峰值漏极电流(IDM):3.0A
    - 最大耗散功率(PD):63W
    - 脉冲热阻抗(RthJC):2.0°C/W
    - 额定雪崩能量(EAS):100mJ

    产品特点和优势


    - 国际标准封装: 支持TO-252、TO-263和TO-220标准封装,便于集成。
    - 低QG: 低栅极电荷,提高了开关速度并降低了功耗。
    - 低封装电感: 减少了寄生电感,从而提高了开关性能。
    - 快速内建整流器: 保证了在高速切换时的良好性能。
    - 高功率密度: 能够在紧凑的空间内实现高效能转换。
    - 易于安装: 封装设计考虑到了安装简便性。
    - 节省空间: 封装尺寸小,适合空间有限的设计。

    应用案例和使用建议


    这些器件广泛应用于多种电力电子系统,例如直流-直流转换器、开关模式和共振模式电源供应、交流和直流电机驱动等。在选择合适的应用场景时,应注意以下几个方面:
    - 开关模式电源供应: 利用其高功率密度和低导通电阻的特点,可以提高转换效率。
    - 电机驱动: 由于其能够承受较大的电流和高温环境,非常适合用于电机驱动系统。
    - 激光驱动: 在高频开关条件下仍能保持良好的性能表现。

    使用建议:
    - 散热管理: 确保足够的散热设计以避免过热问题。
    - 外部栅极电阻: 建议在栅极添加适当的外部电阻以防止振荡。
    - 瞬态保护: 在输入端增加瞬态电压抑制二极管以确保器件安全。

    兼容性和支持


    这些器件与其他常见的电子元器件和设备兼容,如PCB布局工具和模拟软件,且IXYS提供了详尽的技术支持文档和工程师服务,帮助客户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的工作温度导致导通电阻增大。
    - 解决方法: 优化散热设计,增加散热片或者使用强制风冷系统。
    - 问题:栅极振荡现象。
    - 解决方法: 添加适当的外部栅极电阻,通常推荐值为30Ω。
    - 问题:器件启动时的浪涌电流过大。
    - 解决方法: 在电路中添加软启动电路,逐步增加驱动信号的幅值。

    总结和推荐


    IXTY1R4N100P, IXTA1R4N100P, IXTP1R4N100P 是一款高性能、高可靠性的N-沟道增强型功率MOSFET,具有显著的优点,如低栅极电荷、快速内建整流器和高功率密度。适合应用于各种高要求的电力电子系统。在正确使用的情况下,其出色的性能将显著提升系统的整体效能。强烈推荐在相关应用中使用这款产品。

IXTP1R4N100P参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 17.8nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 450pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 50µA
配置 -
Id-连续漏极电流 1.4A
Rds(On)-漏源导通电阻 11Ω@ 500mA,10V
最大功率耗散 63W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP1R4N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP1R4N100P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP1R4N100P IXTP1R4N100P数据手册

IXTP1R4N100P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.8755 ¥ 32.748
10+ $ 2.97 ¥ 25.0965
50+ $ 2.4732 ¥ 20.8985
100+ $ 2.4084 ¥ 20.351
250+ $ 1.9548 ¥ 16.5181
500+ $ 1.6308 ¥ 13.7803
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型号 价格(含增值税)
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