处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFQ90N20X3

IXFQ90N20X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 390W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 78nC@ 10 V 1个N沟道 200V 12.8mΩ@ 45A,10V 90A 5.42nF@25V TO-3P 通孔安装
供应商型号: IXFQ90N20X3
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFQ90N20X3

IXFQ90N20X3概述

    # IXFP90N20X3, IXFQ90N20X3 和 IXFH90N20X3 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFP90N20X3、IXFQ90N20X3 和 IXFH90N20X3 是由 IXYS 公司设计并制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这些器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流处理能力和优异的电气特性。它们广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动器以及机器人和伺服控制等领域。

    技术参数


    基本电气特性
    - 最大击穿电压 (VDSS): 200 V
    - 漏极连续电流 (ID25): 90 A
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤ 12.8 mΩ (VGS = 10V)
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±20 V
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 220 A
    - 最大工作结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最大耗散功率 (PD): 390 W
    - 工作温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 驱动功率 (Ciss): 5420 pF
    - 输出电容 (Coss): 930 pF
    - 反向恢复时间 (trr): 95 ns
    - 有效输出电容 (Co(tr)): 1300 pF
    机械参数
    - 引脚重量:
    - TO-220: 3.0 g
    - TO-3P: 5.5 g
    - TO-247: 6.0 g

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:采用多种封装形式,便于安装和集成。
    - 低导通电阻和栅极电荷:RDS(on) ≤ 12.8 mΩ (VGS = 10V),确保高效的电流传输。
    - 低寄生电感:减少开关损耗,提高系统效率。
    - 雪崩耐受能力:能够在恶劣环境下稳定运行。
    - 高功率密度:提供强大的电流处理能力,适合紧凑空间的设计需求。
    - 易于安装:具有简单的机械结构,便于装配。
    - 节省空间:紧凑的设计减少了占用的空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源和共振电源:IXFP90N20X3 在高频开关应用中表现出色,适用于开关电源和共振电源的设计。
    - 直流-直流转换器:由于其低导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于高效直流-直流转换器中。
    - 功率因数校正电路:IXFQ90N20X3 在校正功率因数时表现出色,能够减少能耗。
    - 电机驱动:适用于各种交流和直流电机驱动器,如工业机器人和伺服控制系统。
    使用建议
    - 在高频率应用中,需要考虑寄生电感的影响,可能需要额外的去耦电容来减少噪声干扰。
    - 在高电流和高温环境下,确保良好的散热措施以避免过热损坏。
    - 在设计电路时,注意栅极驱动信号的强度和波形,以保证开关速度和可靠性。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 与市场上常见的电源管理芯片和控制器兼容,可直接应用于现有的系统中。
    - IXYS 提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南、测试报告和技术咨询服务,帮助客户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 确保栅极驱动电压在 ±10V 到 ±20V 范围内,以保证 MOSFET 的正常工作。
    2. 如何提高散热效率?
    - 采用适当的散热器和风扇,或者在 PCB 上设计铜箔区域以增加热传导路径。
    3. 如何防止反向电压损坏?
    - 在电路设计中加入肖特基二极管或其他保护电路,以防止反向电压损坏 MOSFET。
    解决方案
    1. 检查驱动电路的输出电压,确保其在规定的范围内。
    2. 增加散热措施,例如采用大面积的散热片或水冷系统。
    3. 设计并加入保护电路,如反向电压保护二极管。

    总结和推荐


    IXFP90N20X3、IXFQ90N20X3 和 IXFH90N20X3 是高性能的功率 MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和优良的电气特性。它们在开关电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动器以及机器人和伺服控制系统中表现优异。IXYS 提供全面的技术支持和详细的文档,帮助用户更好地使用这些产品。综上所述,强烈推荐这些 MOSFET 作为高性能电源管理和电机驱动应用的理想选择。

IXFQ90N20X3参数

参数
最大功率耗散 390W(Tc)
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.42nF@25V
Id-连续漏极电流 90A
Rds(On)-漏源导通电阻 12.8mΩ@ 45A,10V
栅极电荷 78nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFQ90N20X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFQ90N20X3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3数据手册

IXFQ90N20X3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 55.2109
900+ ¥ 53.2905
1350+ ¥ 52.3304
库存: 1440
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
合计: ¥ 24844.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0