处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFX66N85X

IXFX66N85X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 30V 5.5V@8mA 230nC@ 10 V 1个N沟道 850V 65mΩ@ 500mA,10V 66A 8.9nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: IXFX66N85X
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX66N85X

IXFX66N85X概述


    产品简介


    IXYS Corporation推出的IXFK66N85X 和 IXFX66N85X 是一款高性能N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),具有极高的电压耐受能力和低导通电阻(RDS(on)),非常适合应用于开关电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路(PFC)、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制等领域。该产品符合国际标准封装,易于安装,并具备低栅电荷(QG)特性,从而能够实现高效的能量转换。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS (漏源击穿电压): 850 V
    - VDGR (栅漏击穿电压): 850 V
    - VGSS (栅源最大连续电压): ± 30 V
    - VGSM (栅源瞬时电压): ± 40 V
    - ID25 (25°C时的漏极电流): 66 A
    - IDM (25°C时的脉冲漏极电流): 140 A
    - PD (功耗): 1250 W
    - dv/dt (开关速度): 50 V/ns
    - TJ (结温范围): -55 ... +150°C
    - Tstg (存储温度范围): -55 ... +150°C
    - TL (焊料的最大引线温度): 300 °C
    - TSOLD (焊接后的温度): 260 °C
    - Weight (重量): 10 g (TO-264), 6 g (PLUS247)
    - 特性值:
    - BVDSS (漏源击穿电压): 850 V
    - VGS(th) (阈值电压): 3.5 ~ 5.5 V
    - RDS(on) (导通电阻): 65 mΩ (在VGS=10V, ID=33A下)
    - QG (栅电荷): 230 nC
    - Ciss (输入电容): 8900 pF
    - Coss (输出电容): 8900 pF
    - Crss (反向传输电容): 142 pF

    产品特点和优势


    特点:
    - 低QG: 具有较低的栅电荷,可提高能效。
    - 低电感封装: 包装设计减少寄生电感,提高开关性能。
    - 雪崩保护: 具备雪崩等级,增加可靠性和耐用性。
    优势:
    - 高功率密度: 在紧凑的空间内提供高功率处理能力。
    - 易于安装: 符合行业标准封装,便于在各种应用中快速部署。
    - 节省空间: 高效能密度确保占用更少的板载空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:由于高耐压和低导通电阻,适用于高频开关电源。
    - 电机驱动:提供稳定的电源供给,适合各种电机控制系统。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应考虑冷却措施以确保长期稳定运行。
    - 设计时应选择合适的外部栅极电阻,以达到最佳的开关速度和能效。

    兼容性和支持


    该产品与市场上广泛采用的TO-264和PLUS247封装兼容,可以轻松集成到现有的系统中。IXYS公司为客户提供全面的技术支持和服务,包括产品咨询、故障排查和维修服务,确保客户的满意体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开启延迟时间过长
    - 解决方法: 调整外部栅极电阻以优化开启时间。

    - 问题: 温度升高导致性能下降
    - 解决方法: 采用适当的散热设计和冷却方案,确保MOSFET在安全工作范围内。
    - 问题: 开关损耗过高
    - 解决方法: 优化电路设计,降低栅极电荷和反向传输电容的影响。

    总结和推荐


    IXFK66N85X 和 IXFX66N85X MOSFET凭借其高电压耐受性、低导通电阻和高功率密度,使其成为开关电源、直流-直流转换器和电机驱动系统的理想选择。其独特的设计和卓越的性能,加上IXYS公司提供的强大技术支持,使得这些产品在市场上具备极强的竞争力。因此,强烈推荐使用这款MOSFET来提升系统性能和可靠性。

IXFX66N85X参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.9nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 850V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 66A
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@8mA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 230nC@ 10 V
配置 独立式
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX66N85X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX66N85X数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX66N85X IXFX66N85X数据手册

IXFX66N85X封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 121.984
600+ ¥ 117.741
900+ ¥ 115.6196
库存: 450
起订量: 300 增量: 300
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 36595.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336