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IXFN150N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET系列, Vds=650 V, 145 A, SOT-227封装, 螺纹, 4引脚
供应商型号: IXFN150N65X2
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN150N65X2

IXFN150N65X2概述


    产品简介


    产品名称: IXFN150N65X2
    产品类型: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    主要功能:
    - 快速固有二极管
    - 高功率密度
    - 抗雪崩能力
    - 低RDS(on)
    应用领域:
    - 开关模式和谐振模式电源
    - 直流-直流转换器
    - 功率因数校正电路
    - 交流和直流电机驱动
    - 机器人和伺服控制

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS(漏源击穿电压): 650 V
    - VDGR(漏栅击穿电压): 650 V
    - VGSS(栅源连续电压): ± 30 V
    - VGSM(栅源瞬态电压): ± 40 V
    - ID25(25°C时的漏电流): 145 A
    - IDM(脉冲漏电流): 300 A
    - PD(耗散功率): 1040 W
    - dv/dt(电压变化率): 50 V/ns
    - 典型特性值:
    - BVDSS(漏源击穿电压): 650 V
    - VGS(th)(阈值电压): 3.5 V ~ 5.0 V
    - RDS(on)(导通电阻): 17 mΩ (VGS = 10V, ID = 75A)
    - ISOL(隔离电流): ≤ 1mA
    - td(on)(开通时间): 55 ns
    - tr(上升时间): 30 ns
    - td(off)(关断时间): 100 ns
    - tf(下降时间): 13 ns
    - Qg(on)(总电荷): 355 nC

    产品特点和优势


    特点:
    - 国际标准封装
    - 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
    - 隔离电压为2500 V~
    - 高电流处理能力
    - 快速固有二极管
    - 抗雪崩能力
    - 低RDS(on)
    优势:
    - 高功率密度
    - 安装简单
    - 空间节省

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源模块:如开关电源和谐振模式电源
    - 电机控制:如交流和直流电机驱动
    - 机器人控制:如伺服控制系统
    使用建议:
    - 在选择散热器时,考虑到PD(耗散功率)高达1040W,确保良好的热管理是关键。
    - 当用于高频开关应用时,应注意寄生电容的影响,避免高频噪声干扰。
    - 在选择外部栅极电阻时,考虑最小栅极电阻为0.57 Ω,以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 该产品具有miniBLOC封装,与SOT-227兼容。
    - 厂商提供了详细的技术支持,包括安装指南、使用手册和故障排除文档。
    - 用户可以在厂商网站上查找相关资料和支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何优化热管理?
    - 解决方案: 使用大尺寸散热器,增加散热片面积,并在散热器与模块之间添加热界面材料(TIM),以降低热阻。

    - 问题2: 如何减少开关损耗?
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻(RG)和外部驱动器,以降低总电荷(Qg)和开关时间。
    - 问题3: 如何提高系统的整体效率?
    - 解决方案: 选择适合的应用场合,根据负载需求选择合适的工作电压和电流,同时优化外围电路设计,减少无功功率消耗。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IXFN150N65X2是一款高性能的N-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有高电流处理能力和低导通电阻。
    - 其抗雪崩能力和快速固有二极管使其适用于各种高功率应用。
    - 通过提供详细的图表和技术参数,制造商展现了其优秀的电气性能和可靠性。
    推荐:
    - 对于需要高功率密度、低导通电阻和良好热管理的应用,IXFN150N65X2是一个理想的选择。强烈推荐用于开关电源、电机驱动和其他高压高功率应用中。

IXFN150N65X2参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 1.04KW(Tc)
栅极电荷 355nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 75A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 21nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
Id-连续漏极电流 145A
长*宽*高 38.23mm(长度)
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN150N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN150N65X2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN150N65X2 IXFN150N65X2数据手册

IXFN150N65X2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 314.5739
200+ ¥ 303.6322
300+ ¥ 298.1613
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