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IXFP5N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 250W(Tc) 30V 6V@ 250µA 33.4nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 2.8Ω@ 500mA,10V 5A 1.83nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFP5N100P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFP5N100P

IXFP5N100P概述

    IXFA5N100P/IXFH5N100P/IXFP5N100P Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型:
    IXFA5N100P、IXFH5N100P 和 IXFP5N100P 是由 IXYS Corporation 生产的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。这些 MOSFET 具备高耐压(1000V)、低导通电阻(≤ 2.8Ω)及快速开关特性,适用于多种高压电力转换应用。
    主要功能:
    - 极高的耐压能力,支持高达1000V 的电压
    - 低导通电阻,减少功率损耗
    - 高速开关特性,适用于高频电路
    - 内置高速反向恢复二极管,提供电荷平衡
    应用领域:
    - 直流-直流转换器
    - 蓄电池充电器
    - 开关电源和共振式电源
    - 不间断电源系统
    - 交流电机控制
    - 高速电力开关应用

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS (最大漏源电压):1000V
    - ID (最大连续漏电流):5A
    - PD (最大耗散功率):250W
    - TJ (结温范围):-55°C 到 +150°C
    - Tstg (存储温度范围):-55°C 到 +150°C
    - 典型特征值:
    - BVDSS (漏源击穿电压):1000V
    - VGS(th) (栅阈值电压):3.0V ~ 6.0V
    - RDS(on) (导通电阻):2.8Ω (VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25)
    - gfs (跨导):2.4S ~ 4.0S
    - Qg (栅电荷):33.4nC

    产品特点和优势


    - 动态 dv/dt 评级
    - 雪崩额定值
    - 高跨导特性
    - 低栅电荷
    - 低漏极至引脚电容
    - 低封装电感
    这些特点使得 IXFA5N100P、IXFH5N100P 和 IXFP5N100P 在设计高性能电力转换器时表现出色。此外,这些 MOSFET 采用标准封装,易于安装,且节省空间。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在一个 DC-DC 转换器应用中,IXFA5N100P 显示出优异的性能,特别是在需要高效率和稳定性的应用中。
    - 用于电池充电器设计时,这些 MOSFET 减少了充电时间,提高了整体能效。
    - 使用建议:
    - 在选择 MOSFET 时,需确保其最大电流和电压需求符合您的具体应用场景。
    - 在高频电路中,应考虑 MOSFET 的开关速度和栅电荷以避免不必要的能量损失。
    - 在低温环境下使用时,注意调整 VGS(th) 以确保正常操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 这些 MOSFET 可以轻松与各种标准电路板接口兼容,如 TO-220、TO-247 和 TO-263 封装。

    - 支持:
    - IXYS 提供详尽的技术支持文档和客户支持服务,帮助用户快速解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何正确安装这些 MOSFET?
    - 解决方案: 按照制造商的安装指南进行操作。确保使用适当的紧固扭矩(TO-220: 1.13 Nm;TO-247: 10 Nm/lb.in.)以防止损坏引脚。

    - 问题2: 如何选择合适的散热片?
    - 解决方案: 根据最大功耗和散热要求选择合适的散热片。参考技术手册中的热阻抗参数,确保有效散热。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高耐压能力和低导通电阻,适合高压应用
    - 低栅电荷和高跨导特性,提高开关速度和效率
    - 易于安装和节省空间的封装
    推荐使用:
    这些 IXFA5N100P、IXFH5N100P 和 IXFP5N100P MOSFET 非常适合需要高性能、可靠性和高效能的应用场合,特别是对于直流-直流转换器、电池充电器和高频开关电源系统。
    综上所述,IXFA5N100P、IXFH5N100P 和 IXFP5N100P 是非常值得推荐的产品,特别适合高压电力转换器的设计者。

IXFP5N100P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.83nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 33.4nC@ 10 V
最大功率耗散 250W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 500mA,10V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@ 250µA
Id-连续漏极电流 5A
配置 独立式
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFP5N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFP5N100P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFP5N100P IXFP5N100P数据手册

IXFP5N100P封装设计

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