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IXFX100N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.04KW(Tc) 30V 5.5V@4mA 180nC@ 10 V 1个N沟道 650V 30mΩ@ 50A,10V 100A 11.3nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: 747-IXFX100N65X2
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX100N65X2

IXFX100N65X2概述


    产品简介


    IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 是来自IXYS公司的高性能N沟道增强型MOSFET功率器件。该系列产品专为开关模式和共振模式电源、DC-DC转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统而设计。产品采用国际标准封装,具备低QG、低封装电感、雪崩耐受等优点。同时,IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 在高功率密度、易于安装及空间节省方面表现出色。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最大漏源电压(VDSS): 650V
    - 最大门电压(VGSS): ±30V
    - 漏极连续电流(ID25): 100A
    - 峰值漏极电流(IDM): 200A
    - 脉冲宽度受结温限制
    - 单次脉冲能量(EAS): 3.5J
    - 最大耗散功率(PD): 1040W
    - 极限结温(TJ): -55°C到+150°C
    - 极限存储温度(Tstg): -55°C到+150°C
    - 引线最高焊接温度(TL): 300°C
    - 焊锡时间10s的最大引线温度(TSOLD): 260°C
    - 工作参数
    - 雪崩击穿电压(BVDSS): 650V
    - 门限电压(VGS(th)): 3.5V至5.0V
    - 门电流(VGS): ±100nA
    - 漏源饱和电流(IDSS): 50μA (TJ = 125°C时为5mA)
    - 导通电阻(RDS(on)): ≤30mΩ (VGS = 10V, ID = 0.5 ID25时)

    - 输入和输出特性
    - 输入电容(Ciss): 10.8nF
    - 输出电容(Coss): 6000pF
    - 反馈电容(Crss): 2.6pF
    - 输入门电阻(RGi): 0.7Ω
    - 关断延迟时间(td(off)): 90ns
    - 开启延迟时间(td(on)): 37ns
    - 上升时间(tr): 26ns
    - 下降时间(tf): 13ns
    - 门电荷(Qg): 183nC (VGS = 10V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25时)
    - 输出电荷(Qd): 62nC (VGS = 10V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25时)

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:确保产品在不同应用场景下的一致性和可靠性。
    - 低QG:减小门电荷损耗,提高效率。
    - 低封装电感:有助于降低寄生电感,提升整体性能。
    - 雪崩耐受:提高产品在极端条件下的可靠性。
    - 高功率密度:允许更高的集成度,适用于紧凑型设计。
    - 易于安装:减少安装过程中的复杂性,节省时间和成本。
    - 空间节省:适合于对空间要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式和共振模式电源:这些应用通常需要高效的电力传输和严格的热管理,IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 的高导通电阻特性使其在高负载情况下仍能保持高效性能。
    - DC-DC转换器:这些设备需要快速开关速度和低损耗特性,IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 在低QG特性上的优势,有助于提升转换器的整体效率。
    - 功率因数校正电路:需要器件能够在高频下工作,IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 在高速开关频率下的良好表现,使其非常适合用于PFC电路。
    - 交流和直流电机驱动:需要高可靠性和稳定性,IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 的高雪崩耐受能力确保在高压冲击条件下仍能稳定运行。
    - 机器人和伺服控制系统:需要高精度控制,IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 的低封装电感和低门电荷损耗特性,有助于提高系统的控制精度和响应速度。
    使用建议:
    - 在使用IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 进行设计时,要注意散热管理,以确保器件在高负载情况下的正常工作。
    - 选择合适的散热片和散热器,确保器件在高温环境下的可靠运行。
    - 设计时要考虑到器件的工作频率,合理规划布局以降低寄生电感。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 支持多种标准封装形式(TO-264和PLUS247),与市场上主流的电源管理模块兼容。
    - 支持和维护:IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户在设计过程中解决问题,确保产品的长期可靠性。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查并调整电路板的设计,确保接地连接正确,减少噪声干扰。
    - 问题2:器件过热。
    - 解决方案:优化散热设计,使用更大的散热片或散热器,改善空气流通,确保器件在安全温度范围内工作。
    - 问题3:无法达到预期的电流输出。
    - 解决方案:检查电源供应,确保足够的供电电压和电流,同时检查连接线和接口是否接触良好。

    总结和推荐


    IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 是具有高性能和广泛适用性的N沟道增强型MOSFET功率器件。其独特的低QG、低封装电感、雪崩耐受等特性使其在开关电源、DC-DC转换器、PFC电路等领域中表现出色。产品不仅具备高功率密度和易于安装的优势,还提供详细的文档和技术支持,确保客户在使用过程中能够顺利进行设计和调试。综上所述,强烈推荐IXFK100N65X2 和 IXFX100N65X2 作为高性能电源管理方案的理想选择。

IXFX100N65X2参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@4mA
最大功率耗散 1.04KW(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 180nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.3nF@25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 50A,10V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 1
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX100N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX100N65X2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX100N65X2 IXFX100N65X2数据手册

IXFX100N65X2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.654 ¥ 174.5263
10+ $ 18.0684 ¥ 152.678
30+ $ 13.2516 ¥ 111.976
120+ $ 11.529 ¥ 97.4201
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