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IXGT10N170

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 110W 2.7V 独立式 4V@ 15V,10A 20A TO-268AA 贴片安装 16.05mm*14mm*5.1mm
供应商型号: IXGT10N170-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXGT10N170

IXGT10N170概述

    # 高压IGBT技术手册

    产品简介


    IXGH10N170 和 IXGT10N170 是由IXYS公司生产的高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)。它们被设计用于处理高电压和高电流的应用场合。这些IGBT具有国际标准封装,可实现高电流处理能力,适用于多种工业和电力电子应用,如电机驱动、不间断电源系统(UPS)、开关模式电源供应器等。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-发射极电压(VCES):1700V(25°C至150°C)
    - 栅极-发射极电压(VGES):连续±20V
    - 集电极电流(IC):TC = 25°C时为20A;TC = 90°C时为10A
    - 集电极脉冲电流(ICM):TC = 25°C时为70A
    - 射随输出电流(SSOA):VGE = 15V,TVJ = 125°C,RG = 16Ω时为20A
    - 最大功率损耗(PC):TC = 25°C时为110W
    特性参数
    - 集电极-发射极击穿电压(BVCES):1700V
    - 门极开启电压(VGE(th)):3.0V至5.0V
    - 开启时集电极电流(IC(ON)):33A
    - 门极-发射极泄漏电流(IGES):±100nA
    - 饱和电压(VCE(sat)):2.7V至4.0V(TJ = 125°C时)

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供JEDEC TO-268和TO-247 AD两种封装。
    - 高电流处理能力:能承受高达70A的瞬态电流。
    - MOS门驱动:简化了驱动复杂性。
    - 坚固的非穿通结构:确保了高可靠性。
    - 符合UL 94V-0阻燃等级:提高了产品在严苛环境下的安全性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机驱动:适用于AC电机速度控制和DC伺服及机器人驱动。
    2. 电源转换:适合DC斩波器、不间断电源(UPS)及各种开关和共振模式电源供应器。
    3. 能量储存释放:适用于电容放电和脉冲电路。
    使用建议
    - 注意散热:由于集电极-发射极饱和电压受温度影响较大,需要良好的散热措施以保证正常运行。
    - 合理选择驱动电阻:为了优化开关时间,根据具体应用选择合适的驱动电阻。
    - 保护措施:在电路设计时考虑添加适当的保护电路,如过流保护、过温保护等。

    兼容性和支持


    - 这些IGBT兼容市面上常见的工业标准接口,方便集成到现有的电子设备中。
    - 厂商提供了详细的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何测量IGBT的饱和电压?
    - 答:使用万用表或专用仪器在不同温度下测量集电极-发射极之间的电压,当集电极电流为规定值时读取饱和电压。
    2. 问:如何降低IGBT的开关损耗?
    - 答:可以通过优化驱动电阻和电路布局来减少开关损耗。此外,选择更低的驱动电压也可以减少开关损耗。
    3. 问:IGBT的长期使用寿命如何?
    - 答:正确使用且良好的散热条件下,其预期寿命可达数万小时以上。

    总结和推荐


    IXGH10N170和IXGT10N170是高性能、高可靠性的高压IGBT,非常适合需要高电流和高电压的应用场景。它们具有较高的功率密度和易于表面安装的特点,适用于广泛的工业和电力电子应用。推荐在电机驱动、电源管理和储能释放等场合使用。
    综上所述,IXGH10N170和IXGT10N170是市场上非常优秀的产品,具备强大的竞争力,值得用户选用。

IXGT10N170参数

参数
集电极电流 20A
最大功率耗散 110W
VCEO-集电极-发射极最大电压 4V@ 15V,10A
最大集电极发射极饱和电压 2.7V
配置 独立式
长*宽*高 16.05mm*14mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXGT10N170厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXGT10N170数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXGT10N170 IXGT10N170数据手册

IXGT10N170封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 15.8288 ¥ 132.4673
30+ $ 9.7101 ¥ 81.2617
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