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IXFN48N50Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 20V 4V@4mA 190nC@ 10 V 1个N沟道 500V 100mΩ@ 500mA,10V 48A 7nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.2mm*25.07mm*9.6mm
供应商型号: LDL-IXFN48N50Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN48N50Q

IXFN48N50Q概述

    # IXYS HiPerFET™ Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXYS HiPerFET™ 系列是高性能功率 MOSFET 的代表,专为高效率和高速开关设计。该系列产品包括 IXFN 44N50Q 和 IXFN 48N50Q 两种型号,分别具有 44A 和 48A 的连续电流能力,适用于多种高压和高频率应用。
    主要功能
    - 高速开关:适合高频应用,降低功耗。
    - 低导通电阻(RDS(on)):提升效率并减少发热。
    - 支持无钳位感性负载开关(UIS):确保系统可靠性。
    - 快速恢复二极管:减少反向恢复时间。
    应用领域
    - 直流-直流转换器
    - 蓄电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源供应器
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制

    技术参数


    以下为关键的技术规格和技术参数:
    | 参数名称 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VDSS | IXFN 44N50Q 500 V
    IXFN 48N50Q 500 V
    | RDS(on) | IXFN 44N50Q 120 mΩ
    IXFN 48N50Q 100 mΩ
    | Qg 190 nC
    | trr ≤250 ns

    产品特点和优势


    独特功能
    - IXYS 先进工艺:采用低 Qg 工艺,易于驱动且提高开关速度。
    - 低栅极电荷:减少驱动损耗。
    - 低热阻:通过 miniBLOC 和氮化铝隔离实现高效散热。
    市场竞争力
    - 高功率密度设计减少了占用空间。
    - 易于安装,适合现代紧凑型设计需求。
    - 符合国际标准封装,确保通用性。

    应用案例和使用建议


    使用场景
    - 电池管理系统:快速充电过程中利用其高效能特性。
    - 光伏逆变器:用于高频率转换以提升能量转换效率。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,注意匹配合适的驱动电压和电流。
    - 定期监测工作温度,避免过载运行导致的性能下降。

    兼容性和支持


    兼容性
    该系列 MOSFET 可广泛应用于各种主流平台和设备,支持多样的连接方式。此外,其封装符合国际标准,便于集成到现有系统中。
    支持和服务
    IXYS 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除手册,帮助用户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查驱动电路配置是否正确 |
    | 温度过高 | 确保良好的散热设计并适当降额 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXYS HiPerFET™ 系列 MOSFET 是一款高性能的产品,特别适合需要高效率和快速响应的应用场合。其卓越的热管理和紧凑设计使其成为市场的优选之一。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能表现和广泛的适用性,强烈推荐 IXYS HiPerFET™ MOSFET 在高频、高效率应用场景中使用。对于寻求高性能解决方案的设计者而言,这无疑是一个理想的选择。

IXFN48N50Q参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 190nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 500W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 48A
配置 独立式双源
长*宽*高 38.2mm*25.07mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN48N50Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN48N50Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN48N50Q IXFN48N50Q数据手册

IXFN48N50Q封装设计

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