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IXFH50N60X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 660W(Tc) 30V 4.5V@4mA 116nC@ 10 V 1个N沟道 600V 73mΩ@ 25A,10V 50A 4.66nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFH50N60X
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH50N60X

IXFH50N60X概述

    # X-Class HiPerFETTM Power MOSFET

    产品简介


    X-Class HiPerFETTM系列是由IXYS公司生产的高功率密度场效应晶体管(MOSFET)。该系列包括三种型号:IXFT50N60X、IXFQ50N60X和IXFH50N60X,适用于广泛的电力转换应用。这些MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关时间,非常适合于高效率电源设计,如开关模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路(PFC)、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统。

    技术参数


    以下是X-Class HiPerFETTM MOSFET的技术规格:
    - 最大电压(VDSS): 600V
    - 连续漏极电流(ID25): 50A(TC = 25°C)
    - 导通电阻(RDS(on)): ≤ 73mΩ(VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, TC = 25°C)
    - 雪崩耐量: 额定
    - 输出电容(Coss): 3300pF(VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz)
    - 反向恢复时间(trr): 195ns
    - 输入电容(Ciss): 4660pF
    - 热阻(RthJC): 0.19°C/W
    - 工作温度范围(TJ): -55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围(Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最大功耗(PD): 660W(TC = 25°C)

    产品特点和优势


    X-Class HiPerFETTM系列MOSFET具备以下特点和优势:
    - 国际标准封装:符合行业标准,易于集成。
    - 低导通电阻和栅极电荷:低RDS(on)和QG,有助于提高效率。
    - 低寄生电感:减少开关损耗。
    - 高功率密度:适合紧凑设计。
    - 易于安装:简化装配过程。
    - 节省空间:优化的外形尺寸。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源:用于高效能的电源转换系统。
    - 直流-直流转换器:提供高效的电压转换。
    - 电机驱动:适用于工业和机器人控制中的电机驱动。
    - 功率因数校正电路:提高系统的能源利用效率。
    使用建议
    - 在高频应用中,注意散热管理以避免过热。
    - 选择合适的外部栅极电阻(RG)来优化开关性能。
    - 对于高功率应用,确保充分的冷却措施以维持良好的性能和寿命。

    兼容性和支持


    X-Class HiPerFETTM系列MOSFET采用常见的TO-247、TO-3P和TO-268封装,与大多数主流电路板兼容。IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用这些器件。此外,还有详尽的故障排除指南和维修服务,确保用户能够顺利解决问题。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何测量MOSFET的导通电阻?
    解决方案:可以使用数字万用表,在MOSFET的栅极和源极之间施加10V电压,并测量漏极和源极之间的电阻值。注意测量时要确保MOSFET处于导通状态。
    问题二:如何处理过高的温度?
    解决方案:增加散热片或散热器以改善散热效果。另外,可以通过优化电路布局,减少热量集中区域,从而降低器件的温度。
    问题三:栅极充电时间过长怎么办?
    解决方案:检查外部栅极电阻(RG)是否合适。过大的RG会导致充电时间延长,可以尝试减小RG值来加快充电速度。

    总结和推荐


    X-Class HiPerFETTM MOSFET凭借其出色的性能、高功率密度和广泛的应用场景,成为许多电力转换系统的理想选择。它不仅在设计上满足了高效、可靠的需求,而且在安装和使用上也非常便捷。强烈推荐使用X-Class HiPerFETTM系列MOSFET,特别是对于需要高性能、高效能的电力电子系统。

IXFH50N60X参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.66nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@ 25A,10V
栅极电荷 116nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 660W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH50N60X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH50N60X数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH50N60X IXFH50N60X数据手册

IXFH50N60X封装设计

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