处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTM12N100

IXTM12N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 170nC@ 10V 1个N沟道 1KV 1.05Ω@ 6A,10V 12A 4nF@25V TO-204AA 底座安装
供应商型号: LDL-IXTM12N100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTM12N100

IXTM12N100概述

    # IXYS MegaMOSTM功率MOSFET技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXYS公司的MegaMOSTM系列是专为高效率电源转换和电机控制设计的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该系列提供两种型号:IXTH10N100和IXTH12N100,分别支持10A和12A的连续电流输出。这些器件采用增强型N沟道结构,广泛应用于开关模式电源、谐振模式电源、不间断电源(UPS)、直流斩波器及电机控制等领域。
    主要功能与应用
    - 主要功能:高电压耐受能力(高达1000V)、低导通电阻(典型值分别为1.20Ω和1.05Ω)和快速开关性能。
    - 应用领域:适合需要高效能转换的应用场景,如通信设备、工业自动化系统以及新能源发电装置。

    技术参数


    以下是根据手册提取的关键技术规格:
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VDSS | V 1000
    | VGS | V | ±20 ±30 |
    | ID25 (连续电流) | A 10/12
    | IDMAX (脉冲电流) | A 40/48
    | PD | W 300
    | TJ (-55°C至+150°C) | °C |
    | Tstg | °C | -55 +150 |

    产品特点和优势


    特点
    1. 国际标准封装:支持TO-204AA和TO-247AD两种封装形式。
    2. 低导通电阻:利用先进的HDMOSTM工艺实现极低的导通损耗。
    3. 坚固的多晶硅栅极结构:提升抗干扰能力和可靠性。
    4. 低寄生电感:<5nH,便于驱动与保护电路设计。
    5. 快速开关时间:响应迅速,适用于高频开关应用。
    优势
    - 易于安装:TO-247封装仅需一颗螺丝即可完成固定。
    - 空间节约:紧凑的设计便于集成到小型化电子产品中。
    - 高功率密度:能够在较小体积内实现较高功率输出。
    应用案例与使用建议
    应用案例
    1. 在一个典型的开关模式电源设计中,IXTH10N100/12N100可以作为主控开关元件,用于将输入直流电压转换为所需的输出电压。
    2. 电机控制器项目里,通过调整PWM信号来控制IXTH10N100/12N100的工作状态,从而精确调节电机速度。
    使用建议
    - 为了最大限度地减少热效应,在布线时请确保良好的散热路径。
    - 避免长时间处于高温环境下工作,以免影响使用寿命。
    - 根据实际需求合理选择合适的输入电压范围,避免过压损坏。
    兼容性与支持
    - 兼容性:该系列产品与其他主流品牌的同类产品具有良好的互换性,方便替换现有系统中的旧型号组件。
    - 技术支持:IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决开发过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热现象 | 检查电路连接是否正确,增加外部散热片。 |
    | 导通电阻偏大 | 确认栅极驱动电压是否达到额定要求。 |
    | 工作温度超出正常范围 | 调整系统布局以改善通风条件或使用辅助冷却装置。|
    总结与推荐
    综合评估
    IXYS MegaMOSTM系列功率MOSFET以其卓越的性能指标和广泛的适用性成为市场上备受推崇的选择之一。其出色的性价比使得它非常适合那些对成本敏感但又追求高性能的应用场合。
    推荐意见
    强烈推荐给从事电源管理及相关领域的工程师们使用此款产品。无论是原型开发还是批量生产阶段,它都能展现出令人满意的表现。希望未来能够继续看到更多创新性的产品问世!

IXTM12N100参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
通道数量 -
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 170nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 6A,10V
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4nF@25V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-204AA
安装方式 底座安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXTM12N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTM12N100数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTM12N100 IXTM12N100数据手册

IXTM12N100封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 34.827 ¥ 291.8503
库存: 874
起订量: 19 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 291.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336