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IXXN110N65B4H1

产品分类: IGBT模块
厂牌: IXYS
产品描述: 750W 2.1V 单一 650V 215A SOT-227B 底座安装,贴片安装
供应商型号: 747-IXXN110N65B4H1
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS IGBT模块 IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1概述

    # IXYS IXXN110N65B4H1 技术手册解读

    产品简介


    基本介绍
    IXXN110N65B4H1 是一款由 IXYS 公司生产的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),结合了强大的开关能力和高效的热管理能力。该器件采用了 miniBLOC 封装形式,集成了氮化铝(AlN)基板,提供了优异的热阻特性和电气隔离性能。产品广泛应用于功率逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电路(PFC)、电池充电器以及焊接和照明设备等领域。
    主要功能
    - 高压耐受能力:支持高达 650V 的集电极-发射极电压(VCES)。
    - 大电流处理:最大连续集电极电流为 230A(芯片能力),额定电流为 110A。
    - 优化高频开关:专为 10-30kHz 的开关频率设计。
    - 短路保护能力:具备短路承受能力。

    技术参数


    以下是关键的技术规格及性能参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 集电极-发射极击穿电压 (VCES) 650V
    | 阈值电压 (VGE(th)) | 4.0V | 6.5V
    | 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) | 1.72V | 2.10V | 2.05V |
    | 栅极漏电流 (IGES) | ±100nA
    | 反向恢复峰值电流 (IRM) | 95A
    | 栅极电荷 (Qg) | 183nC
    | 导通门限时间 (td(on)) | 26ns
    工作环境
    - 结温范围:-55°C 至 +175°C。
    - 贮存温度范围:-55°C 至 +175°C。
    - 隔离电压:可达 2500V。

    产品特点和优势


    特点
    - 符合国际标准封装。
    - 采用 miniBLOC 设计,集成 AlN 基板以增强热传导。
    - 2500V 隔离电压,确保高安全性能。
    - 内置反并联快恢复二极管,提供优异的瞬态响应。
    优势
    - 高功率密度:相较于传统方案,占用更少的空间。
    - 低门极驱动需求:减少驱动电路复杂度和功耗。
    - 优化的 SOA(Safe Operating Area):提升可靠性和安全性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 太阳能逆变器:用于将光伏阵列产生的直流电转换为交流电,需考虑其高效率和高频率开关能力。
    - 电动汽车充电站:需满足高频切换和高效热管理的要求。
    使用建议
    - 在高频操作下,应选择合适的门极电阻(RG)以平衡开关时间和损耗。
    - 在系统设计中,务必保证良好的散热条件,避免因过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与现有主流逆变器和控制器高度兼容。
    - 支持:提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速部署。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 降低门极电阻(RG) |
    | 过热损坏 | 改善散热机制 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXXN110N65B4H1 是一款专为工业级应用设计的高性能 IGBT 模块。其卓越的电气特性和热管理能力使其成为各类高要求应用场景的理想选择。
    推荐意见
    强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的工业电力电子系统中。若能结合适当的外围电路设计,可以进一步发挥其全部潜力。

IXXN110N65B4H1参数

参数
配置 单一
集电极电流 215A
最大功率耗散 750W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 2.1V
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXXN110N65B4H1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXXN110N65B4H1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS IGBT模块 IXYS IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1数据手册

IXXN110N65B4H1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 31.702 ¥ 267.8819
10+ $ 27.6588 ¥ 233.7169
100+ $ 23.52 ¥ 198.744
250+ $ 21.945 ¥ 185.4353
库存: 314
起订量: 1 增量: 1
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