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IXFB300N10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.5KW(Tc) 20V 5V@8mA 279nC@ 10 V 1个N沟道 100V 5.5mΩ@ 50A,10V 300A 23nF@25V PLUS-264-3 通孔安装
供应商型号: IXFB300N10P
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFB300N10P

IXFB300N10P概述

    PolarTM HiPerFETTM Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    PolarTM HiPerFETTM 是一种高性能的 N-Channel 增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有快速本征二极管。这款 MOSFET 广泛应用于多种电力转换和控制领域,如直流-直流转换器、电池充电器、开关电源、直流斩波器、交流和直流电机驱动系统、不间断电源(UPS)及高速功率开关应用。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 |

    | VDSS(漏源电压) | 100 V |
    | VDGR(栅漏电压) | 100 V |
    | VGSS(栅源电压) | ±20 V |
    | ID(连续漏极电流) | 300 A |
    | ILRMS(引线电流限制) | 160 A |
    | IDM(脉冲漏极电流) | 900 A |
    | EAS(雪崩能量) | 3 J |
    | dv/dt(最大开关速度) | 20 V/ns|
    | PD(耗散功率) | 1500 W |
    | TJ(结温范围) | -55...+175°C |
    | TJM(最高结温) | 175°C |
    | Tstg(存储温度范围) | -55...+175°C |
    | TL(焊接最大引线温度) | 300°C |
    | TSOLD(焊接后温度) | 260°C |

    产品特点和优势


    PolarTM HiPerFETTM 具备多项关键技术和优势:
    - 低 RDS(on) 和 QG:提供较低的导通电阻和门电荷,提高能效。
    - 雪崩耐受能力:能够承受高电压冲击,保证可靠运行。
    - 低封装电感:减少开关损耗,提高整体效率。
    - 快速本征二极管:降低反向恢复时间,提升电路性能。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC 转换器:适用于高功率密度要求的应用,建议选用较低的 RDS(on) 值以降低功耗。
    - 电池充电器:利用快速本征二极管减少反向恢复时间,确保高效充电。
    - 电机驱动系统:适用于交流和直流电机,选择适合的工作电压和电流,确保电机稳定运行。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中,以避免因过热导致的性能下降。
    - 遵循适当的焊接工艺,确保连接稳固且不损坏元器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:PolarTM HiPerFETTM 与其他标准电源设备兼容,如开关电源、UPS 系统等。
    - 支持:IXYS 公司提供了详尽的技术支持文档和在线资源,可帮助用户快速解决问题并进行有效集成。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:工作时温度过高
    解决方案:加强散热设计,采用外部冷却措施如风扇或散热片。
    - 问题2:开关速度不足
    解决方案:检查外围电路设计,确保使用低阻抗栅极驱动器,优化门电荷(QG)以提高开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,PolarTM HiPerFETTM 功率 MOSFET 具有高功率密度、易于安装和节省空间的特点,是一款高性能、多功能的电子元件。尤其适合需要高可靠性和高性能的应用场景。我们强烈推荐这款产品给对性能和可靠性有高要求的设计工程师。

IXFB300N10P参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 50A,10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
栅极电荷 279nC@ 10 V
最大功率耗散 1.5KW(Tc)
Id-连续漏极电流 300A
通道数量 1
通用封装 PLUS-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFB300N10P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFB300N10P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFB300N10P IXFB300N10P数据手册

IXFB300N10P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 254.3956
500+ ¥ 245.5471
750+ ¥ 241.1228
库存: 450
起订量: 250 增量: 250
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