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IXFK98N50P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Polar3系列, Vds=500 V, 98 A, TO-264封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZT-IXFK98N50P3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK98N50P3

IXFK98N50P3概述


    产品简介


    IXFK98N50P3 和 IXFX98N50P3 是 IXYS 公司推出的高性能功率 MOSFET(场效应晶体管),主要用于直流到直流转换器、电池充电器、开关模式电源供应器、不间断电源、交流电机驱动以及其他高速电力开关应用。这些 MOSFET 是 N 沟道增强型器件,具备高动态 dv/dt 评级、雪崩耐受能力和快速内在二极管等特点。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS (最大漏源电压): 500 V
    - ID (最大连续漏极电流, TC = 25°C): 98 A
    - PD (最大功耗, TC = 25°C): 1300 W
    - TJ (工作结温范围): -55°C 至 +150°C
    - Tstg (储存温度范围): -55°C 至 +150°C
    - TL (焊接最高引脚温度): 300°C
    - TSOLD (塑料封装10秒最高温度): 260°C
    - RDS(on) (漏极至源极导通电阻, VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25): 50 mΩ
    - dv/dt (最大压摆率): 35 V/ns
    - 特征值:
    - BVDSS (漏源击穿电压, VGS = 0V, ID = 3mA): 500 V
    - VGS(th) (阈值电压, VDS = VGS, ID = 8mA): 3.0 V 至 5.0 V
    - IGSS (栅极输入泄漏电流, VGS = ± 30V, VDS = 0V): ± 200 nA
    - IDSS (栅极关断漏极电流, VDS = VDSS, VGS = 0V): 25 µA (TJ = 125°C)
    - Ciss (输入电容): 12.9 nF
    - Coss (输出电容): 1300 pF
    - Crss (反向传输电容): 11 pF
    - RthJC (热阻): 0.096°C/W
    - RthCS (热阻): 0.15°C/W

    产品特点和优势


    IXFK98N50P3 和 IXFX98N50P3 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 动态 dv/dt 评级: 能够承受高电压变化率,适合快速开关应用。
    - 雪崩耐受能力: 在高压环境下能承受雪崩电压。
    - 快速内在二极管: 低损耗和快速恢复时间。
    - 低 QG (栅极电荷) 和 低 RDS(on) (导通电阻): 降低损耗和提高效率。
    - 低源漏电容: 减少开关损耗。
    - 低封装电感: 适用于高频应用。
    此外,该产品具有易于安装的特点,并且在紧凑的空间内提供了更高的性能,有助于节省空间。

    应用案例和使用建议


    IXFK98N50P3 和 IXFX98N50P3 主要用于以下几种应用场合:
    - 直流到直流转换器:在需要高效率和快速响应的应用中表现优异。
    - 电池充电器:提供高效的能量转换,延长电池寿命。
    - 开关模式电源供应器:能够高效地转换电压,满足不同负载需求。
    - 不间断电源:确保在电网故障时的持续供电。
    - 交流电机驱动:提高电机运行效率。
    - 高速电力开关应用:适应高频和快速开关要求。
    对于使用建议,可以考虑以下几点:
    - 散热设计:考虑到高功率应用中的热量管理,设计良好的散热方案是必要的。
    - 驱动电路:确保提供适当的栅极驱动电压和电流以减少损耗。
    - 电磁干扰防护:采用适当的 PCB 布局和滤波措施,减少 EMI 干扰。

    兼容性和支持


    IXFK98N50P3 和 IXFX98N50P3 具备多种封装选项,如 TO-264 和 PLUS247,可根据具体应用需求选择合适的封装。IXYS 提供了详尽的技术支持文档和在线技术支持,帮助客户解决问题并优化应用效果。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是常见的用户问题及其解决方案:
    - 问题一:高温环境下器件无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热方案是否合理,必要时增加散热片或改进散热路径。
    - 问题二:器件启动后出现不稳定状态。
    - 解决方案:检查驱动电路是否符合要求,确保驱动电压和电流充足且稳定。
    - 问题三:EMI 问题严重。
    - 解决方案:采用合适的 PCB 设计和滤波措施,例如屏蔽和去耦电容。

    总结和推荐


    IXFK98N50P3 和 IXFX98N50P3 是一款高性能的功率 MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其出色的动态特性和低损耗使其成为许多高效率电力转换应用的理想选择。IXYS 公司提供的详尽的技术支持和全面的产品文档也增强了其市场竞争力。综上所述,推荐使用这款 MOSFET 在相关应用中,以获得最佳性能和可靠性。

IXFK98N50P3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.1nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 98A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 1.3KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
栅极电荷 197nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 500mA,10V
配置 独立式
19.96mm(Max)
5.13mm(Max)
26.16mm(Max)
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK98N50P3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK98N50P3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK98N50P3 IXFK98N50P3数据手册

IXFK98N50P3封装设计

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