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IXXH30N60B3D1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 270W 1.66V 600V 60A TO-247AD 通孔安装 16.24mm*5.3mm*21.45mm
供应商型号: CGC-IXXH30N60B3D1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXXH30N60B3D1

IXXH30N60B3D1概述

    XPTTM 600V IGBT with GenX3TM Diode: IXYS IXXH30N60B3D1 技术手册概述

    1. 产品简介


    XPTTM 600V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)结合GenX3TM超快反向并联二极管,适用于功率转换应用中的高频开关操作。这款IGBT是IXYS公司推出的一款高性能产品,型号为IXXH30N60B3D1。它具备卓越的开关性能和坚固性,能够在高频率和高温环境下稳定工作,特别适合用于电源逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电路(PFC)、电池充电器、焊接设备和灯泡镇流器等多种应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 集电极-发射极电压 (VCES) 600V
    | 集电极电流 (IC) | 60A | 30A
    | 门极-发射极电压 (VGE(th)) | 3.5V | 6.0V
    | 开启电压 (VGE) | 0V 15V |
    | 通态压降 (VCE(sat)) | 1.66V | 1.85V | 1.97V |
    | 门极电荷 (Qg) | 39nC
    | 门极电容 (Cies) | 1185pF
    | 集电极-发射极电压 (VCE) vs 门极-发射极电压 (VGE) | 8V | 14V | 15V |
    | 集电极-发射极漏电流 (ICES) | 100μA | 1mA
    | 高温工作范围 (TJ) | -55°C | 175°C | 175°C |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 适用于5-30kHz高频开关操作;
    - 平方区反向安全工作区(Square RBSOA);
    - 高效的反向并联超快二极管;
    - 能够承受雪崩状态;
    - 短路耐受能力;
    - 国际标准封装。
    优势:
    - 高功率密度;
    - 175°C额定温度;
    - 极高的坚固性;
    - 低门极驱动要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 功率逆变器:利用其优秀的开关性能提高能效和可靠性;
    - UPS系统:确保稳定的电力供应和快速响应时间;
    - 电机驱动器:提供高效、可靠的电动机控制;
    - SMPS电源:降低功耗,提升转换效率;
    - PFC电路:提高功率因数,减少能量损失;
    - 电池充电器:延长电池寿命,提升充电效率;
    - 焊接设备:实现精准控制,提高焊接质量;
    - 灯泡镇流器:优化照明效果,延长灯具使用寿命。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意选择合适的门极电阻以优化开关速度和降低损耗;
    - 在高温环境下使用时,需采取额外的散热措施以保持最佳工作状态;
    - 为确保稳定性,在设计电路时要充分考虑负载变化对IGBT的影响。

    5. 兼容性和支持


    这款IGBT采用国际标准封装(TO-247 AD),易于集成到现有的电子系统中。IXYS公司为其提供了详细的技术文档和强大的技术支持服务,包括详尽的数据手册、应用指南和在线支持平台,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:IGBT在高温下出现过热现象?
    - 解决方案:增加散热片或使用水冷系统,确保IGBT的工作温度不超出其最大额定值。

    - 问题:IGBT在高速开关过程中出现高频振荡?
    - 解决方案:适当减小门极电阻值,并确保门极引线尽可能短且具有良好的屏蔽。

    - 问题:IGBT在大负载下工作不稳定?
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,适当增加滤波电容和稳压电路,确保IGBT在负载变化时仍能稳定工作。

    7. 总结和推荐


    IXXH30N60B3D1作为一款专为高频开关设计的IGBT产品,具备出色的性能指标和多种优势。无论是从其高功率密度、高可靠性还是耐用性来看,该产品都非常适合应用于现代工业自动化、电力系统及消费电子等领域。因此,强烈推荐使用这款IGBT,以满足苛刻的应用需求。

IXXH30N60B3D1参数

参数
集电极电流 60A
最大功率耗散 270W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.66V
配置 -
长*宽*高 16.24mm*5.3mm*21.45mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXXH30N60B3D1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXXH30N60B3D1数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1数据手册

IXXH30N60B3D1封装设计

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