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IXTA3N120HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 200W(Tc) 20V 5V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 4.5Ω@ 500mA,10V 3A 1.1nF@25V TO-263HV 贴片安装
供应商型号: ZT-IXTA3N120HV
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA3N120HV

IXTA3N120HV概述

    高压功率MOSFET产品技术手册

    产品简介


    产品名称: IXTA3N120HV
    产品类型: N沟道增强型高压功率MOSFET
    主要功能: 高电压阻断能力、快速内在二极管、雪崩耐受能力
    应用领域: 高压电源供应、电容器放电应用、脉冲电路

    技术参数


    - 基本参数
    - VDSS (击穿电压): 1200V
    - ID25 (最大电流): 3A
    - RDS(on) (导通电阻): ≤4.5Ω
    - 最大额定值
    - VDSS (最大电压): 1200V
    - VDGR (栅极-源极击穿电压): 1200V
    - VGSS (栅极-源极电压): 持续 ±20V,瞬时 ±30V
    - ID25 (最大连续电流): 3A
    - IM (最大脉冲电流): 12A
    - PA (最大耗散功率): 200W
    - TJ (结温范围): -55°C 到 +150°C
    - TJM (最大结温): 150°C
    - TSTG (存储温度范围): -55°C 到 +150°C
    - TL (焊接最高引线温度): 300°C
    - TSOLD (焊点最高温度): 1.6mm 距离外壳 260°C
    - 重量: 2.5g
    - 电特性
    - BVDSS (漏源击穿电压): 1200V
    - VGS(th) (阈值电压): 2.5V 至 5.0V
    - IGSS (栅极脉冲电流): ±100nA
    - IDSS (漏极漏电流): 25μA (TJ = 125°C)
    - RDS(on) (导通电阻): 4.5Ω (VGS = 10V, ID = 0.5 × ID25)
    - 开关时间
    - td(on) (开启延时时间): 17ns
    - tr (上升时间): 15ns
    - td(off) (关断延时时间): 32ns
    - tf (下降时间): 18ns
    - Qg(on) (总栅极电荷): 42nC
    - Qgs (栅极-源极电荷): 8nC
    - Qgd (栅极-漏极电荷): 21nC
    - gfs (跨导): 1.5S 至 2.6S
    - Ciss (输入电容): 1100pF
    - Coss (输出电容): 110pF
    - Crss (反向传输电容): 40pF
    - RthJC (热阻): 0.62°C/W

    产品特点和优势


    - 易于安装: 采用TO-263封装,简化了安装过程。
    - 节省空间: 高功率密度设计,适合紧凑型设计。
    - 高可靠性: 雪崩耐受能力,确保在极端条件下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高压电源供应:用于逆变器和电机驱动器。
    - 电容器放电应用:在高能物理实验中作为储能元件。
    - 脉冲电路:在射频放大器和高速开关电路中表现优异。
    - 使用建议:
    - 在设计高压电源时,确保散热良好,避免过热损坏。
    - 使用适当的栅极电阻以降低开关损耗,提高效率。
    - 注意电容放电应用中的瞬态电压影响,合理选择缓冲电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IXTA3N120HV可以与各种标准的PCB布局工具和电路仿真软件兼容。
    - 支持: IXYS提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 导通电阻过高
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否足够高,确保栅极-源极电压达到阈值电压以上。
    - 问题2: 开关时间不满足要求
    - 解决方案: 增加栅极电阻以减慢开关速度,减少开关损耗。
    - 问题3: 温度过高
    - 解决方案: 增强散热措施,例如使用更大的散热片或风扇。

    总结和推荐


    IXTA3N120HV是一款高性能的高压功率MOSFET,适用于高压电源、电容器放电和脉冲电路等应用。其高可靠性、易于安装和高功率密度等特点使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高电压阻断能力和快速开关特性的应用,强烈推荐使用这款产品。同时,IXYS提供的详细技术文档和支持也使得用户能够更有效地利用该产品。

IXTA3N120HV参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
最大功率耗散 200W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 3A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@25V
配置 -
栅极电荷 42nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5Ω@ 500mA,10V
通用封装 TO-263HV
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA3N120HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA3N120HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA3N120HV IXTA3N120HV数据手册

IXTA3N120HV封装设计

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