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IXFH12N120

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 30V 5V@4mA 95nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 1.4Ω@ 500mA,10V 12A 3.4nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: ZT-IXFH12N120
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH12N120

IXFH12N120概述

    IXTF 12N120 高压HiPerFET功率MOSFET技术手册

    产品简介


    IXTF 12N120 是一款由IXYS公司生产的高压功率MOSFET,适用于开关模式和共振模式电源供应、电机控制、不间断电源系统(UPS)以及直流斩波器等多种应用场合。该器件具有国际标准的TO-247 AD封装,具备低RDS(on)和快速开关时间等特点。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):1200V
    - VDGR(栅源击穿电压):1200V
    - VGS(栅源电压):连续±30V,瞬态±40V
    - ID(连续电流):12A(25°C)
    - IDM(脉冲电流):48A(25°C)
    - Pd(功耗):500W(25°C)
    - Tj(结温):-55°C至+150°C
    - Tstg(存储温度):-55°C至+150°C
    - 特性参数
    - RDS(on)(导通电阻):1.4Ω(10V栅源电压,0.5×ID25)
    - Ciss(输入电容):3400pF
    - Coss(输出电容):280pF(25V时)
    - Crss(反向传输电容):105pF
    - Qg(on)(总栅极电荷):95nC
    - t(d(on))(导通延迟时间):24ns
    - tr(上升时间):25ns
    - t(f)(下降时间):17ns
    - RthJC(结到壳热阻):0.25K/W

    产品特点和优势


    - 国际标准的TO-247 AD封装,便于安装。
    - 低RDS(on),采用HDMOSTM工艺,提高效率。
    - 聚硅栅结构,坚固耐用。
    - 快速开关时间,降低损耗。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关模式和共振模式电源供应:适用于各种电力转换装置,例如服务器电源、LED驱动电源等。
    - 电机控制:适合用于工业自动化设备中的电机控制系统。
    - UPS:可用于数据中心、医院等关键设施的不间断电源系统。

    - 使用建议:
    - 在使用过程中要注意控制工作温度,避免超过规定的结温限制。
    - 为了保证良好的散热效果,可以采用适当的散热片或其他冷却措施。
    - 针对不同的应用场景,可以通过调整栅极电阻来优化开关速度和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - IXTF 12N120 与其他标准的TO-247封装的MOSFET和IGBT是兼容的,可以在现有设计中直接替换。
    - IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以访问官方网站下载最新的数据手册和技术指南,也可以联系技术支持团队解决具体问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作温度超出范围导致过热损坏。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,并确保MOSFET的工作温度不超过规定的最大值。
    - 问题:开关频率过高导致MOSFET过热。
    - 解决方案:降低开关频率或者增加外部散热措施,如加大散热片面积。

    总结和推荐


    IXTF 12N120 是一款高可靠性、高性能的功率MOSFET,具有低RDS(on)和快速开关时间的优势,非常适合在高频、大功率应用中使用。经过全面的评估,强烈推荐在需要高效能、高可靠性的应用场景中使用此产品。无论是设计新的电力转换系统还是替换现有设备中的组件,IXTF 12N120 都是一个理想的选择。

IXFH12N120参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
最大功率耗散 500W(Tc)
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 95nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.4nF@25V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH12N120厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH12N120数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH12N120 IXFH12N120数据手册

IXFH12N120封装设计

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