处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH14N100

IXTH14N100

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 360W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 195nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 820mΩ@ 500mA,10V 14A 5.65nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: LDL-IXTH14N100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH14N100

IXTH14N100概述


    产品简介


    产品名称: IXTH14N100
    类型: N沟道增强模式功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    制造商: IXYS Corporation
    主要功能: 高压、高电流开关器件,提供快速开关能力与低导通电阻(RDS(on))。
    应用领域: 开关电源、谐振模式电源、电机控制、不间断电源(UPS)、直流斩波器等。

    技术参数


    以下为IXTH14N100的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 电压额定值
    | VDSS | 1000 1000 | V |
    | VDGR | 1000 1000 | V |
    | 电流额定值
    | ID (TC=25°C) | 14 14 | A |
    | IDM (TC=25°C) 56 | A |
    | 功率额定值
    | PD (TC=25°C) 360 | W |
    | 温度范围
    | TJ (-55~+150°C) | -55 150 | °C |
    | Tstg | -55 150 | °C |
    | 导通电阻
    | RDS(on) | 0.70 | 0.82 | 0.82 | Ω |
    | 电容参数
    | Ciss | 5650 5650 | pF |
    | Coss 400 | 400 | pF |
    | Crss | 150 150 | pF |
    | 开关时间
    | td(on) | 24 24 | ns |
    | tr | 21 21 | ns |
    | td(off) | 80 80 | ns |
    | tf | 36 36 | ns |

    产品特点和优势


    1. 标准化封装设计: 符合JEDEC标准TO-247 AD封装,易于安装且具备良好的机械稳定性。
    2. 高性能导通电阻: RDS(on)低至0.82Ω,适合高效能功率转换应用。
    3. 快速开关性能: 开关时间和反向恢复时间(td(on), tr, tf, trr)表现优异,适用于高频开关场景。
    4. 耐用结构: 使用坚固的多晶硅栅极单元结构,提高了抗雪崩能力和可靠性。
    5. 易用性: 只需一颗螺丝即可固定,节省空间,支持隔离安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 适用于AC/DC或DC/DC转换器,提高整体效率。
    - 电机驱动: 快速开关性能确保电机平稳运行,减少损耗。
    - UPS系统: 提供稳定的高压输出,保证关键负载持续供电。
    使用建议
    - 在高频应用中,建议优化电路布局以减少寄生电感,进一步提升开关速度。
    - 针对恶劣环境(如高温或低温),可增加散热装置并选用合适的工作温度范围。
    - 注意合理分配驱动电流,避免栅极电压超过±20V,防止损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与主流PCB设计及制造工艺兼容,支持广泛的焊接条件。
    - 技术支持: IXYS提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助解决实际应用中的技术难题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极击穿导致失效 | 确保VGS不超过±20V,采用专用驱动电路保护。 |
    | 导通电阻过高 | 检查焊接质量及散热片连接情况,确认符合规格。 |
    | 开关延迟过长 | 减少寄生电感和电路阻抗,优化布局设计。 |

    总结和推荐


    IXTH14N100是一款高性能N沟道功率MOSFET,具有高电压耐受能力、快速开关特性和低导通电阻,非常适合开关电源和电机控制等高要求场景。其紧凑的TO-247 AD封装与优越的热管理性能进一步增强了产品竞争力。结合其广泛的应用范围和支持资源,我们强烈推荐此产品给需要高效能、高可靠性的工程师和技术人员。
    结论: 综合性能卓越,适合广泛工业应用,推荐使用!

IXTH14N100参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 195nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 14A
最大功率耗散 360W(Tc)
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 820mΩ@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.65nF@25V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH14N100厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH14N100数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH14N100 IXTH14N100数据手册

IXTH14N100封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 55.731 ¥ 467.0258
库存: 57
起订量: 12 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 467.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336