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IXFK210N30X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 20V 4.5V@8mA 375nC@ 10 V 1个N沟道 300V 5.5mΩ@ 105A,10V 210A 24.2nF@25V TO-264 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFK210N30X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK210N30X3

IXFK210N30X3概述


    产品简介


    IXFK210N30X3 和 IXFX210N30X3 电力MOSFET 是由IXYS公司生产的高性能电源管理器件。这两款产品属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,适用于多种高功率密度的应用场景。这些电力MOSFET广泛应用于开关模式电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动、机器人和伺服控制系统等领域。

    技术参数


    以下是两款电力MOSFET的主要技术参数:
    - 漏极-源极击穿电压 (BVDSS):300V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 4.5V
    - 漏极电流 (ID25):210A(在25℃时)
    - 导通电阻 (RDS(on)):≤5.5mΩ(在10V栅极电压下)
    - 最大栅极源极电压 (VGSS):连续 ±20V,瞬态 ±30V
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):650A
    - 最大外部引线电流限制 (IL(RMS)):160A
    - 最大结温 (TJ):-55℃ 至 +150℃
    - 存储温度范围 (Tstg):-55℃ 至 +150℃
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.10°C/W
    - 最大结到散热片热阻 (RthCS):0.15°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供广泛的兼容性。
    - 低RDS(on)和QG:在高电流应用中实现较低的能量损失。
    - 雪崩额定值:提高可靠性和耐用性。
    - 低封装电感:提高高频性能。
    - 高功率密度:提供高效的空间利用。
    - 易于安装:简化组装过程。
    - 节省空间:紧凑设计适合现代电子产品需求。

    应用案例和使用建议


    这些电力MOSFET广泛应用于电源管理和电机控制领域。例如,在开关模式电源中,它们可以提供高效的能量转换;在直流-直流转换器中,它们可以实现稳定的输出电压。
    使用建议:
    - 在选择合适的MOSFET时,确保其能够承受预期的工作条件和电流负载。
    - 考虑使用散热措施来降低工作温度,以延长产品寿命并提高可靠性。
    - 在高频率应用中,要注意封装电感对性能的影响。

    兼容性和支持


    IXFK210N30X3 和 IXFX210N30X3 支持标准封装,与其他同类产品兼容。IXYS公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括安装指南、设计软件工具和技术文档,以帮助用户优化设计和提高系统可靠性。

    常见问题与解决方案


    问题1:MOSFET工作时发热严重?
    解决办法:确保适当的散热措施,如使用散热片或散热器,并确保良好的空气流通。
    问题2:MOSFET栅极驱动不稳定?
    解决办法:检查驱动电路的设计,确保适当的栅极电阻和合适的驱动电压。
    问题3:MOSFET导通电阻偏高?
    解决办法:确保工作在规定的栅极电压范围内,并且栅极驱动电路能够提供足够的驱动电流。

    总结和推荐


    IXFK210N30X3 和 IXFX210N30X3 是高性能的N沟道增强型电力MOSFET,适用于各种高功率密度应用。其低导通电阻、快速开关特性和良好的封装设计使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。我们强烈推荐这些产品给需要高性能、高效率和紧凑设计的工程师和设计师。

IXFK210N30X3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 24.2nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 105A,10V
栅极电荷 375nC@ 10 V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 300V
Id-连续漏极电流 210A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-264
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK210N30X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK210N30X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK210N30X3 IXFK210N30X3数据手册

IXFK210N30X3封装设计

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