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IXTQ26P20P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 56nC@ 10 V 1个P沟道 200V 170mΩ@ 13A,10V 26A 2.74nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm(长度)*4.9mm(宽度)
供应商型号: IXTQ26P20P
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ26P20P

IXTQ26P20P概述

    # IXYS IXTA26P20P系列P通道增强模式功率MOSFET技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXYSPowerMOSFET系列是IXYS公司推出的高性能P通道增强模式功率MOSFET,型号为IXTA26P20P、IXTP26P20P、IXTQ26P20P等。这些器件采用国际标准封装,具备快速的内部二极管、动态dv/dt额定值以及雪崩额定值等特点。它们广泛应用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、电流调节器及自动测试设备等领域。其低门极电荷、低导通电阻(RDS(on))和较低的源极-漏极寄生电容使其易于驱动并提供可靠的保护。
    主要功能与应用领域
    - 功能: 适用于高电压和大电流的应用场景,具有出色的热稳定性和抗雪崩能力。
    - 应用领域:
    - 高侧开关
    - 推挽放大器
    - 直流斩波器
    - 电流调节器
    - 自动测试设备

    技术参数


    以下列出了该系列产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(耐压) | - | -200V | - |
    | VGSS(最大门电压) | ±20V ±30V |
    | ID(连续漏极电流) | -26A -26A |
    | IDM(脉冲漏极电流) | -70A -70A |
    | RDS(on)(导通电阻) | 170mΩ
    | 工作温度范围 | -55°C +175°C |

    产品特点和优势


    特点
    - 国际标准化封装设计。
    - 快速的内部二极管响应。
    - 动态dv/dt额定值与雪崩额定值。
    - 鲁棒的PolarPTM工艺。
    - 低QG和RDS(on),优化驱动性能。
    - 源极至漏极寄生电容低,便于高速开关操作。
    优势
    - 低门极电荷需求降低了对驱动电路的要求。
    - 改进的门极、雪崩和动态dv/dt耐久性。
    - 高功率密度。
    - 快速开关速度,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在汽车电子中用于高侧开关控制。
    - 在工业自动化领域作为推挽放大器的核心组件。
    - 在可再生能源系统中实现高效能量转换。
    使用建议
    - 确保散热良好,避免因过热导致性能下降。
    - 设计时需考虑驱动电路的匹配性以充分利用低门极电荷的优势。
    - 对于需要高频工作的场合,应特别注意寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    IXYS提供了多种封装选项(如TO-263、TO-247、TO-220、TO-3P),便于与其他电子元件集成。此外,该系列产品支持主流的焊接工艺和技术标准。
    支持与维护
    IXYS公司提供全面的技术支持和服务保障,包括详细的文档资料下载、在线技术支持以及售后服务等。对于开发中的任何疑问或问题,均可联系IXYS的专业团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机后发热严重 | 检查散热措施是否到位;增加风扇或散热片 |
    | 开关频率过高导致效率低下 | 调整门极电阻值以降低开关损耗 |
    | 长时间运行后性能衰减 | 定期检查并更换老化部件 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXYS IXTA26P20P系列P通道增强模式功率MOSFET凭借其卓越的技术指标和广泛的适用范围,在电力电子领域展现出强大的竞争力。其优异的导通电阻、快速开关能力和良好的热管理能力使其成为许多高端应用的理想选择。
    推荐结论
    鉴于上述优点,强烈推荐使用IXYS IXTA26P20P系列功率MOSFET来满足高电压、大电流及高可靠性要求的应用需求。无论是从性能还是成本角度来看,这一系列产品都堪称优秀之选。

IXTQ26P20P参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 13A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 56nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 26A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.74nF@25V
最大功率耗散 300W(Tc)
长*宽*高 15.8mm(长度)*4.9mm(宽度)
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ26P20P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ26P20P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ26P20P IXTQ26P20P数据手册

IXTQ26P20P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 26.9635
900+ ¥ 26.0256
1350+ ¥ 25.5567
库存: 3420
起订量: 450 增量: 450
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