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IXFZ520N075T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 600W(Tc) 20V 4V@8mA 545nC@ 10 V 1个N沟道 75V 1.3mΩ@ 100A,10V 465A 41nF@25V DE-475-6 贴片安装 23.11mm*21.08mm*3.18mm
供应商型号: IXFZ520N075T2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFZ520N075T2

IXFZ520N075T2概述

    IXFZ520N075T2 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFZ520N075T2 是一款高性能的N沟道增强模式功率MOSFET,专为高电流、高频率的应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,非常适合应用于直流到直流转换器、离线不间断电源、高压电源开关等领域。这款MOSFET采用了先进的工艺技术和材料,能够在高温环境下稳定工作,同时提供出色的热管理能力和可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS:75V
    - VDGR:75V
    - VGSS (连续):±20V
    - VGSM (瞬态):±30V
    - ID (25°C):420A
    - IDM (25°C):1560A(脉冲宽度受限于TJM)
    - IA (25°C):200A
    - EAS (25°C):3J
    - PD (25°C):600W
    - TJ (-55°C 至 +175°C)
    - TJM (+175°C)
    - Tstg (-55°C 至 +175°C)
    - VISOL (50/60Hz, RMS, t=1分钟):2500V
    - IISOL (≤1mA, t=1秒):3000V
    - TL (1.6mm from Case, for 10s):300°C
    - TSOLD (Plastic Body, for 10s):260°C
    - FC (Mounting Force):20..120 / 4.5..27 N/lb.
    - 重量:3g
    - 特征值(TJ = 25°C):
    - BVDSS:75V
    - VGS(th):2.0至4.0V
    - IGSS:±200nA
    - IDS:10μA(TJ = 150°C时1.5mA)
    - RDS(on):1.6mΩ(VGS = 10V, ID = 100A)

    产品特点和优势


    - 直接铜键合基板上的硅芯片:提供优秀的热传递能力,增加温度和功率循环能力。
    - 隔离式基板:提供高隔离电压(2500V~),适用于电气隔离需求较高的应用。
    - 175°C工作温度:能够适应极端环境条件。
    - 非常高的电流处理能力:适用于大功率应用。
    - 快速本征二极管:有助于减少开关损耗。
    - 雪崩额定:确保可靠的工作稳定性。
    - 非常低的RDS(on):显著降低功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器和离线UPS:适合高功率密度的电源转换应用。
    - 初级侧开关:在高频电力转换器中作为主开关使用。
    - 高速电力开关应用:适用于需要快速开关的应用场景。
    使用建议:
    - 散热设计:由于该MOSFET具有高功率密度和较低的RDS(on),适当的散热设计是必要的,以避免过热。
    - 驱动电路设计:在选择驱动电阻时,考虑到快速开关和低开关损耗的要求,建议使用低阻抗驱动器。
    - 封装注意事项:在安装时要确保使用适当的安装力(20..120 N/lb),避免损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFZ520N075T2 MOSFET与常见的工业标准封装和接口兼容,易于与其他电子元器件集成。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持文档、应用指南和故障排除工具,帮助用户在使用过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过热导致MOSFET失效。
    - 解决方案:增加散热片或散热风扇,改善散热设计。

    - 问题:驱动信号不稳定导致开关速度慢。
    - 解决方案:使用低阻抗驱动器,优化驱动电路设计。

    - 问题:栅极电荷过大影响开关性能。
    - 解决方案:选择合适的外部电阻(例如1Ω)以减小栅极电荷。

    总结和推荐


    IXFZ520N075T2是一款高性能的N沟道增强模式功率MOSFET,具有出色的电流处理能力、快速开关性能和卓越的热管理能力。其独特的特点使其成为高功率密度应用的理想选择。综合考虑其技术参数、应用案例及使用建议,我们强烈推荐在需要高效率、高可靠性的场合下使用该产品。

IXFZ520N075T2参数

参数
Id-连续漏极电流 465A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 75V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 100A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 41nF@25V
最大功率耗散 600W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 545nC@ 10 V
长*宽*高 23.11mm*21.08mm*3.18mm
通用封装 DE-475-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFZ520N075T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFZ520N075T2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFZ520N075T2 IXFZ520N075T2数据手册

IXFZ520N075T2封装设计

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