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IXFH26N60Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 360W(Tc) 20V 4.5V@4mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 600V 250mΩ@ 13A,10V 26A 5.1nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: LDL-IXFH26N60Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH26N60Q

IXFH26N60Q概述

    # HiPerFET™ N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HiPerFET™ 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低门极电荷、高效率及快速开关速度等特点。它适用于多种高压和高频应用领域,如工业控制、电源转换系统、电机驱动和新能源汽车等领域。该产品采用先进的 HDMOS 工艺制造,结合低导通电阻和高耐压特性,使其成为高效能应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VDSS (漏源击穿电压) | TJ=25°C 至 150°C | 600 600 |
    | VGS(th) (阈值电压) | VDS=VGS, ID=4mA | 2.5 | 4.5
    | RDS(on) (导通电阻) | VGS=10V, ID=0.5ID25 0.25
    | PD (功率耗散) | TC=25°C 360
    | Tstg (储存温度范围) -55°C 150°C |

    产品特点和优势


    HiPerFET™ 系列 MOSFET 具备多项突出的技术优势:
    - 低门极电荷:减少开关损耗,提高整体能效。
    - 高功率密度:适合紧凑设计需求。
    - 快速响应时间:支持高频工作环境。
    - 坚固耐用:采用耐高温材料,适应恶劣的工作条件。

    应用案例和使用建议


    HiPerFET™ MOSFET 可广泛应用于电源管理、逆变器、电动车辆充电器等场合。对于需要高效率和稳定性的场合,建议通过合理布局减少寄生效应,并确保良好的散热措施以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品支持国际标准封装,便于集成到现有电路板设计中。制造商提供全面的技术文档和支持服务,帮助客户快速部署解决方案。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整驱动电路,降低开关频率 |
    | 导通电阻过大 | 检查工作温度是否超出正常范围 |

    总结和推荐


    综上所述,HiPerFET™ MOSFET 是一款性能卓越且适用广泛的电子元器件。其出色的耐压能力、高效的开关性能以及可靠的稳定性使其成为众多工程师的选择。强烈推荐此产品用于任何需要高性能 MOSFET 的应用场景。

IXFH26N60Q参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 13A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.1nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 360W(Tc)
栅极电荷 200nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 26A
通道数量 1
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFH26N60Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH26N60Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH26N60Q IXFH26N60Q数据手册

IXFH26N60Q封装设计

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