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IXFN200N07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 520W(Tc) 20V 4V@8mA 480nC@ 10 V 1个N沟道 70V 6mΩ@ 500mA,10V 200A 9nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: UNP-IXFN200N07
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN200N07

IXFN200N07概述


    产品简介


    产品名称:IXYS HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs
    产品类型:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFETs)
    主要功能:
    - 适用于高电压和大电流的应用
    - 高速开关性能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 集成铝氮化物隔离的miniBLOC封装
    应用领域:
    - DC-DC转换器
    - 同步整流
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制
    - 低压继电器

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最高栅源电压(VDSS):N06型60V,N07型70V
    - 连续栅源电压(VGS):±20V
    - 暂态栅源电压(VGSM):±30V
    - 漏极电流(ID25@TC=25°C):200A
    - 脉冲漏极电流(IDM@TC=25°C):600A
    - 功率耗散(PD@TC=25°C):520W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 门限电压(VGS(th)):2V 至 4V
    - 逆栅漏电压(VDS(th)):0.8 • VDSS
    - 导通电阻(RDS(on)@VGS=10V, ID=0.5•ID25):6mΩ
    - 输出电容(Coss@VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz):4000pF
    - 反向恢复时间(trr):≤250ns
    - 集电极二极管的反向恢复时间(trr):150ns 至 250ns

    产品特点和优势


    - 独特的功能:
    - 国际标准封装
    - miniBLOC封装集成铝氮化物隔离
    - 高耐用性多晶硅门结构
    - 快速固有整流器
    - 优势:
    - 易于安装
    - 空间节省
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:适用于需要高效能和快速响应的应用。
    - 同步整流:用于提升电源效率。
    - 电池充电器:适用于对电流要求较高的场合。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保遵循制造商推荐的工作温度范围,避免过热损坏。
    - 安装时要注意连接扭矩,以防止因紧固不当导致失效。
    - 应根据具体应用选择合适的型号,例如根据工作电压选择N06或N07型。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 支持与其他标准电路板组件和系统兼容。

    - 支持:
    - 制造商提供详尽的技术文档和指导手册,确保客户能够正确使用产品。
    - 提供产品安装和维护的支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下运行时,设备过热。
    - 解决方案:确保散热系统设计合理,适当降低工作负载以减少发热。
    - 问题:安装时出现接触不良。
    - 解决方案:严格按要求施加正确的扭矩进行安装。
    - 问题:发现漏电流异常增加。
    - 解决方案:检查是否存在物理损坏或过度焊接,必要时更换新的元件。

    总结和推荐


    总体评价:
    - 优点:这款MOSFET具有出色的电气特性和高效的性能,适合于多种高压高电流的应用场景。其紧凑的设计和高可靠性使其成为市场的有力竞争者。
    推荐意见:
    - 推荐:强烈推荐此产品用于需要高可靠性和高效能的电子项目中。对于寻求高性能功率器件的工程师和设计师来说,这是一个不可多得的选择。

IXFN200N07参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 480nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 200A
配置 独立式双源
Vds-漏源极击穿电压 70V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
最大功率耗散 520W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 500mA,10V
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFN200N07厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN200N07数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN200N07 IXFN200N07数据手册

IXFN200N07封装设计

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