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IXTH6N50D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 96nC@ 5 V 1个N沟道 500V 500mΩ@ 3A,0V 6A 2.8nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTH6N50D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH6N50D2

IXTH6N50D2概述


    产品简介


    IXTA6N50D2、IXTP6N50D2 和 IXTH6N50D2 是由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件的主要特征是它们具有高耐压(VDSX = 500V)、大电流承载能力(ID(on) > 6A)和低导通电阻(RDS(on) ≤ 500mΩ),非常适合用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和主动负载等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSX: 500V(TJ = 25°C 到 150°C)
    - VGSX: ±20V(连续)
    - VGSM: ±30V(瞬态)
    - PD: 300W(TC = 25°C)
    - TJ: -55 ... +150°C
    - TJM: 150°C
    - Tstg: -55 ... +150°C
    - TL: 1.6mm (0.062 in.) 从外壳加热10秒后为300°C
    - TSOLD:塑封体加热10秒后为260°C
    - Md:安装扭矩(TO-220 与 TO-247)为1.13 / 10 Nm/lb.in.
    - 重量:TO-263 为2.5g;TO-220 为3.0g;TO-247 为6.0g
    - 电气特性
    - BVDSX: 500V(VGS = -5V,ID = 250μA)
    - VGS(off): -2.5V ~ -4.5V(VDS = 25V,ID = 250μA)
    - IDSX(off): 5μA(VDS = VDSX,VGS = -5V)
    - RDS(on): 500mΩ(VGS = 0V,ID = 3A)
    - Qg(on): 96nC
    - Ciss: 2800pF
    - Crss: 64pF
    - tf: 43ns
    - td(on): 28ns
    - tr: 72ns
    - td(off): 82ns
    - Qg: 11nC
    - Qgd: 48nC

    产品特点和优势


    - 常开模式:该 MOSFET 设计为常开模式,简化了系统的布线和设计。
    - 国际标准封装:提供 TO-263、TO-220 和 TO-247 封装形式,符合行业标准,便于集成到各种应用中。
    - 易安装性:设计简单,易于安装和焊接,减少生产过程中的复杂性。
    - 节省空间:采用紧凑型封装,有助于提高设备的功率密度,适用于空间受限的应用。
    - 高功率密度:具备优异的功率处理能力,能够适应高功率需求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 音频放大器:MOSFET 的低导通电阻和快速开关特性使其成为音频放大器的理想选择,可以显著降低功耗和提高效率。
    - 启动电路:在启动电路中,IXTA6N50D2 系列 MOSFET 可以高效地管理启动过程中的瞬态电流,避免系统过载。
    - 保护电路:由于其出色的过载和短路保护能力,这些 MOSFET 在电源保护电路中也非常有用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件支持多种封装形式,确保其易于与其他常见的电子元件和设备进行集成。
    - 厂商支持:IXYS 提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南、软件工具和技术支持,帮助用户最大化利用这些器件的功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何测量 RDS(on)?
    - 解决方案:使用合适的测试设备,在 VGS = 0V 和 ID = 3A 条件下测量导通电阻。

    - 问题2:如何优化热管理?
    - 解决方案:合理设计散热路径,使用大面积散热片或者加装风扇,确保 MOSFET 的温度不超过最高允许值。

    总结和推荐


    IXTA6N50D2 系列 MOSFET 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻等显著优点。其易安装性、空间节省和高功率密度等特点使得其广泛应用于各种电子设备中。IXYS 公司提供了全面的支持和服务,确保用户能够轻松集成和使用这些器件。总体而言,IXTA6N50D2 系列 MOSFET 是一个值得推荐的产品,适用于需要高性能 MOSFET 的应用场合。

IXTH6N50D2参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 96nC@ 5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 3A,0V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
最大功率耗散 300W(Tc)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH6N50D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH6N50D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH6N50D2 IXTH6N50D2数据手册

IXTH6N50D2封装设计

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