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IXTT140N10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 600W(Tc) 20V 5V@ 250µA 155nC@ 10 V 1个N沟道 100V 11mΩ@ 70A,10V 140A 4.7nF@25V TO-268AA 贴片安装 14mm*16.05mm*5.1mm
供应商型号: IXTT140N10P
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT140N10P

IXTT140N10P概述

    # XXTQ 140N10P/IXTT 140N10P Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    XXTQ 140N10P 和 IXTT 140N10P 是由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型场效应晶体管(Power MOSFET),具备高可靠性、低损耗和易驱动的特点。它们适用于各种电力转换应用,如开关电源、电机驱动、电池充电器和通信设备等。这些 MOSFET 的主要特点是高电压和大电流处理能力,以及低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),这使得它们能够在高频应用中表现优异。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 击穿电压 (BVDSS) | 100 V | - | - |
    | 阈值电压 (VGS(th)) | 3.0 V | 5.0 V | - |
    | 泄漏电流 (IGSS) | - | ±100 nA | - |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 11 mΩ | - |
    | 二极管击穿电压 (VSD) | - | 1.5 V | - |
    | 反向恢复时间 (trr) | - | 120 ns | - |
    | 热阻 (RthJC) | - | 0.25°C/W | - |
    此外,关于电气特性和工作环境,以下参数也是关键指标:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 高频特性(Ciss、Coss、Crss)
    - 门极驱动能力(Qg、Qgs、Qgd)

    产品特点和优势


    1. 高电压和大电流处理能力:最大漏源电压为100V,最大漏极电流为140A,适合各种高压和大功率应用。
    2. 低导通电阻:典型导通电阻为11 mΩ,这显著降低了功耗并提高了效率。
    3. 快速开关特性:短的上升时间和下降时间(td(on)和td(off)),提高了开关频率。
    4. 低栅极电荷:减少了驱动所需的能量,易于控制。
    5. 抗雪崩能力:通过UISO特性增强了电路的稳定性和可靠性。
    6. 国际标准封装:提供标准的TO-3P和TO-268封装,便于安装和散热管理。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 主要用于开关电源、电机驱动、电池充电器等领域。例如,在开关电源中,它们可以作为主开关管来实现高效的能量转换。在电机驱动应用中,这些 MOSFET 可以实现精确的控制和快速响应。使用建议如下:
    - 散热管理:确保良好的散热设计,尤其是在高电流条件下。
    - 过压保护:设置适当的过压保护措施,以防止超出最大额定值。
    - 驱动电路:采用合适的驱动电路以减少栅极震荡和提高整体性能。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持标准的 TO-3P 和 TO-268 封装,与市场上常见的 PCB 设计兼容。IXYS 提供详细的技术支持和文档,帮助用户进行选型和应用设计。用户可以通过 IXYS 官方网站获得更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下的性能问题:
    - 解决方案:选择合适的工作温度范围,并采用有效的散热设计。
    2. 驱动信号不稳定:
    - 解决方案:确保驱动电路稳定可靠,使用合适的驱动电阻和滤波电容。
    3. 电磁干扰(EMI):
    - 解决方案:采用屏蔽技术和适当的布局设计,减少电磁干扰。

    总结和推荐


    总体来说,XXTQ 140N10P 和 IXTT 140N10P 是高性能、可靠且易用的 MOSFET,非常适合各种高压和大电流的应用场合。它们的低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能使其成为市场上的优秀选择。对于需要高效能、高可靠性的应用,强烈推荐使用这些产品。
    本文基于IXYS官方技术手册进行了详细的解析,涵盖了产品的基本特性、技术参数、应用建议及常见问题解答。希望对读者在选择和应用这些MOSFET时有所帮助。

IXTT140N10P参数

参数
最大功率耗散 600W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 70A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 140A
栅极电荷 155nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 14mm*16.05mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT140N10P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT140N10P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT140N10P IXTT140N10P数据手册

IXTT140N10P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 63.6516
900+ ¥ 61.4377
1350+ ¥ 60.3307
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起订量: 450 增量: 450
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