处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH12N100L

IXTH12N100L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 Linear系列, Vds=1000 V, 12 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZT-IXTH12N100L
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH12N100L

IXTH12N100L概述


    产品简介


    IXTH12N100L是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,专门用于线性操作且具备雪崩耐受能力。它具有较高的击穿电压(VDSS为1000V),适合应用于高电压场合。这款MOSFET的主要特点是拥有较低的导通电阻(RDS(on) ≤ 1.3Ω),非常适合需要大电流的应用场景。此外,IXTH12N100L符合国际标准封装,采用TO-247封装形式,使得安装和散热更为方便。

    技术参数


    - 击穿电压(VDSS):1000V
    - 最大漏极电流(ID25):12A
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 1.3Ω
    - 最大栅极-源极电压(VGSS):±30V
    - 最大集电极-发射极电压(VDGR):1000V
    - 雪崩能量(EAS):1.5J
    - 最大耗散功率(PD):400W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 易于安装:采用国际标准的TO-247封装形式,安装简便且可靠。
    - 节省空间:紧凑的设计使得该器件占用的空间更小,便于在有限的空间内进行集成。
    - 高功率密度:由于具有较低的RDS(on),能够在相同的尺寸下实现更高的功率处理能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IXTH12N100L广泛应用于多种电路设计中,如程序控制负载、电流调节器、DC-DC转换器、电池充电器和直流斩波器等。这些应用场景中,对器件的耐压能力和电流处理能力有较高要求。
    使用建议
    1. 散热管理:考虑到该器件的最大耗散功率高达400W,合理的散热设计是必要的。例如,可以采用良好的散热片或者散热风扇来保证器件正常工作。
    2. 驱动电路设计:由于其较高的栅极-源极电压限制(VGSS = ±30V),在设计驱动电路时应确保不会超过这个极限,以避免损坏。
    3. 并联使用:对于需要更高电流的应用场景,可以通过并联多个IXTH12N100L来实现,需要注意的是并联使用时必须均匀分配电流。

    兼容性和支持


    - IXTH12N100L与大多数主流的电源管理和控制设备兼容。
    - IXYS公司提供全面的技术支持,包括详细的文档、在线论坛和专业工程师的支持服务,帮助客户解决问题和优化设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机时发热异常 | 检查散热系统是否工作正常,如散热片是否有灰尘堵塞等。 |
    | 工作时噪声较大 | 确认驱动电路是否设计合理,检查是否有外部干扰信号。 |
    | 频繁出现过热现象 | 核实最大功率输出是否超出器件额定值,考虑增加外部散热措施。 |

    总结和推荐


    总体而言,IXTH12N100L凭借其出色的耐压性能和低导通电阻,适用于各种高功率和高频应用场合。特别是其易安装和节省空间的特点,使其在市场上具有很强的竞争力。虽然价格可能略高于某些竞争产品,但其卓越的性能和可靠性使其成为值得推荐的选择。对于需要高性能和高可靠性的应用场景,IXTH12N100L无疑是一个优秀的解决方案。

IXTH12N100L参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1KV
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 400W(Tc)
栅极电荷 155nC@ 20 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.5nF@25V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 500mA,20V
Id-连续漏极电流 12A
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH12N100L厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH12N100L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH12N100L IXTH12N100L数据手册

IXTH12N100L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 22.5891 ¥ 189.2968
库存: 82
起订量: 3 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 189.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504