处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTH500N04T2

IXTH500N04T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1KW(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 405nC@ 10 V 1个N沟道 40V 1.6mΩ@ 100A,10V 500A 25nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: ZT-IXTH500N04T2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH500N04T2

IXTH500N04T2概述

    # IXTH500N04T2 和 IXTT500N04T2 电子元器件产品技术手册

    产品简介


    产品类型
    IXTH500N04T2 和 IXTT500N04T2 是由 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET(场效应晶体管)。这两款产品均采用了先进的 TrenchT2TM 技术,具有出色的电气特性和可靠性。
    主要功能
    - 增强型N沟道功率MOSFET:适用于高电流应用。
    - 雪崩耐受能力:具备良好的雪崩耐受能力,能够承受瞬时过电压。
    - 快速内在二极管:集成的快速雪崩二极管,提高电路的整体效率。
    应用领域
    - 同步降压转换器:用于电源管理系统的降压转换。
    - 高电流开关电源:适用于需要高电流处理能力的开关电源。
    - 电池供电电动机:在电动汽车和工业设备中广泛应用。
    - 谐振模式电源供应器:提升能效和减小电磁干扰。
    - 电子镇流器应用:用于荧光灯和LED照明系统。
    - Class D 音频放大器:提供高效的音频放大解决方案。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大击穿电压 \(V{DSS}\) | 40 V |
    | 栅极源极漏极门限电压 \(V{GS(th)}\) | 1.5 V - 3.5 V |
    | 栅极泄露电流 \(I{GSS}\) | ± 200 nA |
    | 漏极饱和电流 \(ID\) | 500 A (芯片能力) |
    | 脉冲漏极电流 \(I{DM}\) | 1250 A |
    | 最大功耗 \(PD\) | 1000 W |
    | 工作温度范围 \(TJ\) | -55°C 至 +175°C |
    | 结温 \(T{JM}\) | 175°C |
    | 贮存温度范围 \(T{STG}\) | -55°C 至 +175°C |
    | 最大峰值结温 \(TL\) | 300°C(TO-247封装) |
    | 最大塑料体温度 \(T{SOLD}\) | 260°C |
    | 安装扭矩 \(Md\) | 1.13 Nm/lb.in |
    | 重量 | TO-247: 6 g;TO-268: 4 g |

    产品特点和优势


    特点
    - 国际标准封装:提供统一的机械和电气接口,便于生产制造。
    - 高温操作能力:可在175°C的环境下稳定运行。
    - 高电流处理能力:能够处理高达500A的连续电流。
    - 雪崩耐受能力:设计上允许电路应对瞬时高压。
    - 低 \(R{DS(on)}\):在10V栅极驱动下,最大阻值为1.6mΩ,降低功率损耗。
    优势
    - 易于安装:符合行业标准封装,便于安装和维护。
    - 节省空间:紧凑的设计,节省宝贵的PCB空间。
    - 高功率密度:相比传统MOSFET,提供更高的功率密度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步降压转换器:在高频直流-直流转换中使用,实现高效的能量转换。
    - 高电流开关电源:如电动汽车充电站中的DC-DC转换器,提供可靠的电力输出。
    - 电池供电电动机:如电动车电机控制中使用,确保长时间高效运行。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的散热设计以保持工作温度在安全范围内。
    - 外部电路保护:在可能的情况下,加入外部保护电路以防止瞬时过电压损坏。
    - 正确选择栅极电阻:通过适当的栅极电阻优化开关速度,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    IXTH500N04T2 和 IXTT500N04T2 的标准封装使其能够轻松集成到现有的电源系统中,与其他常用组件兼容。
    支持
    - 技术支持:IXYS 提供全面的技术支持和咨询服务。
    - 售后维护:提供延长保修服务,保障长期运行的稳定性。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致关机 | 确保良好的散热设计,如加装散热片。 |
    | 漏电流过大 | 检查焊接质量,确认无短路现象。 |
    | 开关速度慢 | 适当减小栅极电阻,加快开关速度。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXTH500N04T2 和 IXTT500N04T2 是市场上非常优秀的N-Channel Enhancement Mode 功率MOSFET,尤其适用于需要高电流处理能力和高可靠性的应用。它们的高性能和可靠性使其成为众多高要求应用的理想选择。
    推荐使用
    强烈推荐给对电流处理能力、热稳定性及开关效率有较高要求的应用项目。其卓越的性能和广泛的应用范围使其成为不可多得的优质电子元器件。

IXTH500N04T2参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25nF@25V
最大功率耗散 1KW(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 405nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 500A
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6mΩ@ 100A,10V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH500N04T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH500N04T2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH500N04T2 IXTH500N04T2数据手册

IXTH500N04T2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 14.001 ¥ 117.3282
库存: 298
起订量: 5 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 117.32
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831