处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTQ86N20T

IXTQ86N20T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 480W(Tc) 30V 5V@1mA 90nC@ 10 V 1个N沟道 200V 29mΩ@ 500mA,10V 86A 4.5nF@25V TO-3P 通孔安装
供应商型号: IXTQ86N20T
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ86N20T

IXTQ86N20T概述


    产品简介


    IXTA86N20T, IXTP86N20T, IXTQ86N20T 是一款由IXYS Corporation生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有高电流处理能力、雪崩耐受能力和低导通电阻等特点,使其适用于多种电力电子应用。其主要应用领域包括直流-直流转换器、电池充电器、开关电源、斩波电路、交流电机驱动、不间断电源以及高速功率开关应用。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 200V
    - 连续漏极电流(ID25): 86A
    - 导通电阻(RDS(on)): ≤33mΩ
    - 栅源击穿电压(VGS(th)): 3.0V ~ 5.0V
    - 最大脉冲电流(IDM): 260A
    - 连续栅极电压(VGSS): ±20V
    - 最大功率耗散(PD): 550W(25℃)
    - 结温范围(TJ): -55°C ~ +175°C
    - 封装形式: TO-263、TO-220 和 TO-3P

    产品特点和优势


    这款MOSFET具备多个独特的功能和优势,使其在电力电子应用中表现出色。主要特点包括:
    - 高电流处理能力: 最大漏极电流为86A,能处理大电流负载。
    - 雪崩耐受能力: 雪崩耐受能力强,能够承受高压冲击。
    - 低导通电阻: 导通电阻仅为33mΩ,显著降低损耗并提高效率。
    - 快速内部二极管: 内部二极管响应速度快,适用于高频开关应用。
    - 易于安装和节省空间: 它的设计使得安装简单方便,并且占用的空间较少。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET在多种电力电子系统中被广泛采用,例如直流-直流转换器和电池充电器。例如,在一个典型的DC-DC转换器中,这种MOSFET可以作为主开关器件来调节输出电压。为了更好地发挥其性能,建议遵循以下几点:
    - 选择合适的散热方式: 确保良好的散热以避免过热。
    - 考虑外部栅极电阻: 通过调整栅极电阻(例如3.3Ω),优化开关时间和减少开关损耗。
    - 使用低感性PCB布局: 防止寄生电感引起的振荡。

    兼容性和支持


    该产品支持TO-263、TO-220和TO-3P三种封装形式,便于集成到不同的电路板设计中。IXYS公司还提供了详尽的技术支持文档和维护服务,以确保用户在使用过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的栅极电压?
    - 答: 确保外部电路能够限制栅极电压不超过±20V,或者使用钳位电路来保护MOSFET。
    2. 问:导通电阻增加的原因是什么?
    - 答: 检查工作温度是否超出规定范围,同时检查是否因为过热导致MOSFET性能下降。
    3. 问:栅极电压过高导致烧毁怎么办?
    - 答: 在设计时加入适当的栅极保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)二极管。

    总结和推荐


    IXTA86N20T, IXTP86N20T, IXTQ86N20T 系列MOSFET以其高电流处理能力、低导通电阻、快速开关性能和可靠性,非常适合于各类电力电子应用。它的优势在于易于安装、节省空间、高功率密度以及广泛的工作温度范围。推荐在需要高效、高可靠性的应用场合使用此产品。

IXTQ86N20T参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.5nF@25V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
Id-连续漏极电流 86A
最大功率耗散 480W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 90nC@ 10 V
通道数量 1
配置 独立式
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ86N20T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ86N20T数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ86N20T IXTQ86N20T数据手册

IXTQ86N20T封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 35.3864
900+ ¥ 34.1555
1350+ ¥ 33.5401
库存: 900
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
合计: ¥ 15923.88
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336