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IXTP3N100D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W(Tc) 20V 37.5nC@ 5 V 1个N沟道 1KV 5.5Ω@ 1.5A,0V 3A 1.02nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTP3N100D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP3N100D2

IXTP3N100D2概述


    产品简介


    IXTA3N100D2 和 IXTP3N100D2
    IXTA3N100D2 和 IXTP3N100D2 是由 IXYS Corporation 生产的 N-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件通常用于高压和高功率应用中,如音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和有源负载。这些 MOSFET 具备耐高温特性,能在 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围内稳定运行。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSX:1000V(结温TJ = 25°C 至 150°C)
    - VGSX 持续:±20V
    - VGSM 瞬态:±30V
    - PD(结温TJ = 25°C):125W
    - 结温 TJ:-55 ... +150°C
    - 结温最高(TJM):150°C
    - 储存温度范围 Tstg:-55 ... +150°C
    - 最大引脚焊接温度 TL:300°C
    - 销钉焊接温度 TSOLD(距离外壳 1.6mm):260°C
    - 安装扭矩 Md(TO-220):1.13 Nm / 10 lb.in.
    - 典型特性
    - BVDSX:在 VGS = -5V,ID = 250μA 条件下,击穿电压为 1000V
    - VGS(off):在 VDS = 25V,ID = 250μA 条件下,阈值电压范围为 -2.5V 到 -4.5V
    - IDSX(off):在 VDS = VDSX,VGS = -5V 条件下,漏电流为 5μA(结温TJ = 125°C 时为 50μA)
    - RDS(on):在 VGS = 0V,ID = 1.5A,结温TJ = 25°C 下为 6Ω
    - gfs:在 VDS = 30V,ID = 1.5A,结温TJ = 25°C 下为 1.2至2.0 S
    - Ciss:输入电容为 1020 pF
    - Coss:输出电容在 VGS = -10V,VDS = 25V,f = 1MHz 下为 68 pF
    - Crss:反向传输电容为 17 pF

    产品特点和优势


    IXTA3N100D2 和 IXTP3N100D2 的显著特点是:
    - 易于安装:国际标准封装,使安装更加便捷。
    - 节省空间:适合空间受限的应用场合。
    - 高功率密度:能够在有限的空间内提供更高的功率处理能力。
    - 正常开通模式:具备常规开启模式,适用于多种电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 音频放大器:IXTA3N100D2 和 IXTP3N100D2 可用于音频放大器的设计,以实现高效、低失真的信号放大。
    - 启动电路:这些器件在启动电路中可作为开关使用,确保系统在启动阶段能够平稳运行。
    - 保护电路:在保护电路中,这些器件可用作过流保护,确保系统的安全运行。
    使用建议:
    - 在使用这些器件时,注意确保其工作温度不超过规定的极限值,以防止热失控。
    - 使用良好的散热设计,确保这些器件不会因过热而损坏。
    - 选择合适的外部电阻,以保证器件在各种条件下都能稳定工作。

    兼容性和支持


    这些器件符合 UL94V-0 阻燃等级标准,且有国际标准封装,确保与其他同类电子元件和设备的兼容性良好。IXYS 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册和应用指南,以帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确设置栅极电压?
    - 解决方案:确保栅极电压设置在适当的范围内,例如,在 VGS = 0V 时的 RDS(on) 不超过 6Ω。

    - 问题:如何避免过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,避免长时间工作在高功率状态,以免因过热导致损坏。

    总结和推荐


    综上所述,IXTA3N100D2 和 IXTP3N100D2 是性能卓越的 N-沟道 MOSFET,具有高功率密度、易于安装、空间节省等特点。这些器件非常适合用于音频放大器、启动电路、保护电路等高压和高功率应用场合。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的设计中使用这些产品。

IXTP3N100D2参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 1KV
最大功率耗散 125W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.02nF@25V
Id-连续漏极电流 3A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 37.5nC@ 5 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5Ω@ 1.5A,0V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP3N100D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP3N100D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP3N100D2 IXTP3N100D2数据手册

IXTP3N100D2封装设计

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