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IXFA36N30P3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 347W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 300V 110mΩ@ 18A,10V 36A 2.04nF@25V TO-263-3 贴片安装
供应商型号: ZT-IXFA36N30P3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFA36N30P3

IXFA36N30P3概述

    Polar3™ HiPerFET™ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    Polar3™ HiPerFET™ 是一款高性能N-通道增强型功率MOSFET,专为高频开关应用设计。它采用了国际标准封装,具有快速内在二极管、雪崩耐受性以及低RDS(on)和QG等特点。这些特性使得该产品广泛应用于多种高功率密度的场景中。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS(漏源击穿电压):300 V
    - VDGR(栅极源极反向电压):300 V
    - VGSS(栅源连续电压):±20 V
    - VGS(th)(栅阈值电压):2.5 V 至 4.5 V
    - RDS(on)(导通电阻):110 mΩ
    - ID25(25°C下的漏极电流):36 A
    - PD(功耗):347 W
    - TJ(工作温度范围):-55°C 至 +150°C
    - Tstg(存储温度范围):-55°C 至 +150°C
    - TL(焊接的最大引线温度):300°C
    - TSOLD(塑料外壳的熔点):260°C(持续10秒)
    - 特性:
    - BVDSS(漏源耐压):300 V
    - Ciss(输入电容):2040 pF
    - Crss(栅漏电容):6 pF
    - Coss(栅源电容):355 pF
    - gfs(跨导):17 S 至 28 S
    - RGi(栅输入电阻):2.1 Ω
    - td(on)(导通延迟时间):16 ns
    - tr(上升时间):39 ns
    - td(off)(关断延迟时间):36 ns
    - tf(下降时间):14 ns
    - Qg(on)(总栅电荷):30 nC
    - Qgd(栅漏电荷):8 nC
    - RthJC(热阻):0.36 °C/W(TO-263AA),0.50 °C/W(TO-220)

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:适用于需要高功率密度的应用。
    - 易于安装:提供了标准化的安装接口,便于安装和维护。
    - 空间节省:采用紧凑的设计,减少了占用的空间。
    - 低导通电阻:降低功耗和发热,提高效率。
    - 低栅极电荷:降低开关损耗,提高能效。
    - 快速内在二极管:适合高频开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关模式电源:适用于各种类型的开关模式电源,如DC-DC转换器和激光驱动器。
    - 电机驱动:适合于交流和直流电机驱动系统。
    - 机器人和伺服控制:适用于复杂的控制系统,如机器人和伺服系统。

    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,以确保长期稳定运行。
    - 为了减少开关损耗,可以适当减小外部栅极电阻。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的电源和驱动电路兼容,可方便集成到现有系统中。
    - 支持:IXYS公司提供详细的技术支持和维护服务,确保客户能够获得最佳的使用体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间运行后发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或风扇进行冷却。
    - 问题2:开关速度慢,影响效率。
    - 解决方案:降低外部栅极电阻以加快开关速度。
    - 问题3:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:确保稳定的电源供应并使用适当的去耦电容。

    7. 总结和推荐


    综合评估:Polar3™ HiPerFET™ 是一款集高功率密度、易安装、空间节省和高效能于一体的高性能功率MOSFET。其适用于多种高要求的应用场景,且具有良好的性价比和可靠性。
    推荐使用:强烈推荐给需要高效率、高可靠性的电源和电机驱动系统的设计者。

IXFA36N30P3参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 18A,10V
Id-连续漏极电流 36A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 30nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 300V
最大功率耗散 347W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.04nF@25V
通道数量 -
10.29mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFA36N30P3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFA36N30P3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFA36N30P3 IXFA36N30P3数据手册

IXFA36N30P3封装设计

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