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IXFT36N50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 540W(Tc) 30V 5V@4mA 93nC@ 10 V 1个N沟道 500V 170mΩ@ 500mA,10V 36A 5.5nF@25V TO-268AA 贴片安装 16.05mm*14mm*5.1mm
供应商型号: 747-IXFT36N50P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFT36N50P

IXFT36N50P概述

    PolarTM HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs

    1. 产品简介


    PolarTM HiPerFETTM 是由IXYS Corporation生产的高性能N沟道增强模式功率MOSFET。这类电子元器件主要用于电力转换和控制应用中,具有低导通电阻(RDS(on))和高功率密度的特点,适用于开关电源、电机驱动、工业自动化、新能源汽车等多个领域。

    2. 技术参数


    以下是这些MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | 最大击穿电压(VDSS) | 500 V |
    | 持续漏极电流(ID25) | 36 A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | ≤ 170 mΩ |
    | 反向恢复时间(trr) | ≤ 200 ns |
    | 门限电压(VGS(th)) | 3.0 - 5.0 V |
    | 最大门极脉冲电压(VGSS) | ±30 V |
    | 最大门极瞬态电压(VGSM) | ±40 V |
    其他参数还包括栅极漏电流(IGSS)、最大二极管电流(IM)、正向压降(VSD)、雪崩能量(EAS)等。

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:能够提供更高的电流密度,从而节省空间。
    - 易于安装:简化了制造和装配过程。
    - 低功耗:低RDS(on)和QG确保低导通损耗和开关损耗。
    - 快速反向恢复:快速反向恢复特性的二极管有助于提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景示例:
    - 开关电源:适用于高频DC-DC转换器,提供高效的能量传输。
    - 电机驱动:适合于各种电机的驱动电路,减少发热并延长使用寿命。
    - 工业自动化:在复杂的工业控制系统中,提供可靠的开关控制能力。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计以避免过热损坏。
    - 确保良好的门极驱动电路设计,以避免门极震荡和噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    这些MOSFET型号如IXFV36N50P、IXFH36N50P等具有不同的封装形式,如TO-247、TO-268和PLUS220SMD。它们之间可以相互替换,但需注意不同封装的尺寸差异。制造商提供详细的安装指南和技术支持服务,帮助客户进行正确安装和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热导致失效。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时增加外部冷却装置。

    - 问题2:导通电阻增加,效率降低。
    - 解决方案:确保MOSFET的工作温度在规定范围内,检查是否有外部因素导致温度升高。
    - 问题3:开关损耗过高。
    - 解决方案:优化门极驱动电路设计,确保合适的门极驱动电压和电流。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PolarTM HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs是电力转换应用的理想选择。它们具有高功率密度、易于安装和高效能的特点,适用于多种电力转换设备。考虑到其优异的技术性能和广泛的应用范围,强烈推荐在各种电力应用中使用这些产品。建议用户在购买和使用前仔细阅读相关手册,并根据具体应用需求选择合适的型号。

IXFT36N50P参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.5nF@25V
栅极电荷 93nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 500mA,10V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 36A
最大功率耗散 540W(Tc)
长*宽*高 16.05mm*14mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFT36N50P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFT36N50P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFT36N50P IXFT36N50P数据手册

IXFT36N50P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 12.351 ¥ 104.366
10+ $ 10.1844 ¥ 86.0582
30+ $ 7.7004 ¥ 65.0684
120+ $ 7.074 ¥ 59.7753
510+ $ 6.615 ¥ 55.8968
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型号 价格(含增值税)
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