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IXGK55N120A3H1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 1.85V 独立式 2.3V@ 15V,55A 125A TO-264-3 通孔安装
供应商型号: IXGK55N120A3H1
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
IXYS IGBT单管 IXGK55N120A3H1

IXGK55N120A3H1概述


    产品简介


    IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) 是一种用于高功率控制电路的半导体器件,结合了场效应晶体管 (FET) 的优点和双极型晶体管的优点。IXYS 公司的 GenX3TM 系列 IGBT 包括 IXGK55N120A3H1 和 IXGX55N120A3H1 型号,适用于多种高功率应用,如电源逆变器、不间断电源系统 (UPS)、电机驱动器、开关电源 (SMPS)、功率因数校正 (PFC) 电路、电池充电器、焊接机和灯具镇流器等。这些 IGBT 具备超低饱和电压,适用于高达 3kHz 的开关频率。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCES):1200V
    - 门极-发射极电压(VGES):±20V
    - 最大集电极电流(IC):125A (TC = 25°C),55A (TC = 110°C)
    - 铅峰值允许电流(ILRMS):120A
    - 门控短路允许电流(ICM):400A
    - 单脉冲雪崩耐量(SSOA):110A
    - 功率损耗(PC):460W (TC = 25°C)
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 特性值:
    - 饱和电压(VCE(sat)):≤2.3V (TJ = 25°C)
    - 输入电容(Cies):4340pF
    - 输出电容(Coes):300pF
    - 反向恢复时间(trr):200ns
    - 二极管正向压降(VF):2.5V (IF = 60A, TJ = 150°C)
    - 门极电荷(Qg):185nC
    - 开启时间(td(on)):23ns
    - 关闭时间(td(off)):365ns

    产品特点和优势


    1. 低导通损耗:该 IGBT 设计优化以减少导通损耗。
    2. 快速反并联二极管:内置快速反并联二极管(FRED),有助于提高整体效率。
    3. 高功率密度:提供高功率处理能力,适合紧凑设计的应用。
    4. 低门极驱动需求:降低系统复杂度和成本。
    5. 超低饱和电压:适合高频应用,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电机驱动器:IXGK55N120A3H1 和 IXGX55N120A3H1 在电机驱动器中的应用可以显著提高能效和控制精度。
    - 不间断电源系统 (UPS):通过优化逆变器设计,提升 UPS 系统的可靠性。
    使用建议:
    - 散热管理:确保良好的散热设计,特别是在高温环境下运行时。
    - 适当的门极驱动电路:确保稳定的门极驱动信号,避免误触发。
    - 外部电路保护:在高功率应用中增加必要的过载保护措施。

    兼容性和支持


    这些 IGBT 产品具有良好的兼容性,适用于多种工业标准接口和连接方式。IXYS 提供详尽的技术支持和维护服务,包括设计指导和故障排查支持。用户可以通过官方网站获得最新的技术支持文档和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境下饱和电压偏高。
    - 解决方案:加强散热设计,或者采用散热片或散热风扇辅助散热。
    - 问题:门极驱动不稳定导致误触发。
    - 解决方案:检查门极驱动电路,确保驱动信号稳定且符合要求。
    - 问题:功率损耗过大。
    - 解决方案:重新评估散热方案,确保合适的热管理策略。

    总结和推荐


    综上所述,IXYS 的 GenX3TM 系列 IGBT 是一款高性能的电子元器件,具备超低饱和电压、高效能和低功耗等显著优点。它适用于多种高功率应用,且具有出色的可靠性和稳定性。因此,我们强烈推荐这一系列的产品,尤其适合对功率转换效率有严格要求的应用场合。

IXGK55N120A3H1参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.85V
配置 独立式
集电极电流 125A
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.3V@ 15V,55A
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXGK55N120A3H1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXGK55N120A3H1数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXGK55N120A3H1 IXGK55N120A3H1数据手册

IXGK55N120A3H1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 178.9528
500+ ¥ 172.7283
750+ ¥ 169.6161
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