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IXER35N120D1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 200W 2.2V 独立式 1.2KV 50A SOP 贴片安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: LDL-IXER35N120D1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXER35N120D1

IXER35N120D1概述

    # IXER 35N120D1 技术手册解读

    产品简介


    IXER 35N120D1 是一款高性能的 NPT3 型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,内置快速恢复二极管(HiPerFRED™),适用于多种电力电子应用。其核心组件由 NPT3 IGBT 和 HiPerFRED™ 二极管组成,封装在 ISOPLUS 247TM 封装内。产品具有低导通电压、正温度系数便于并联操作、快速开关性能等特点,适合用于单级开关、斩波器、桥式电路等电力转换设备。
    主要功能和应用领域:
    - 功能:用于功率转换和控制,提供高效的电能管理。
    - 应用领域:
    - 开关电源
    - 不间断电源(UPS)
    - 变频器驱动
    - 感应加热
    - 电机控制(AC、DC 和 SR)

    技术参数


    以下为 IXER 35N120D1 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最大值/典型值 |

    | 集射极击穿电压(VCES) | 1200V |
    | 栅源电压(VGES) | ±20V |
    | 集电极电流(IC@25°C) | 50A |
    | 集电极电流(IC@90°C) | 32A |
    | 集电极峰值电流(ICM) | 50A |
    | 开启延迟时间(td(on)) | 85ns |
    | 关断延迟时间(td(off)) | 440ns |
    | 饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V~2.8V (典型值2.5V) |
    | 反向恢复时间(trr) | 80ns |
    | 热阻抗(RthJC) | 0.6K/W |
    此外,该模块的耦合电容(Cp)为30pF,重量约为6g,绝缘隔离设计增强了其在高压环境下的稳定性。

    产品特点和优势


    特点
    1. 高效节能:低饱和电压(VCE(sat))和短尾电流优化了系统的能量效率。
    2. 快速响应:快速开关特性和低反向恢复时间确保了系统对动态负载变化的快速响应能力。
    3. 可靠性强:采用ISOPLUS 247TM封装,具备高可靠性及行业标准外形尺寸。
    4. 易用性好:正温度系数便于并联,减少复杂布线需求。
    优势
    - 适用于高频率应用场合,如高频逆变器。
    - 具备优异的短路耐受能力和长期运行稳定性。
    - 减少了外围电路的设计难度,提高了整体系统的集成度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. UPS系统:在不间断电源中作为主控开关,确保电源切换时的连续供电。
    2. 电机驱动:应用于工业电机的变频调速装置中,提供精确的速度控制。
    3. 感应加热:作为核心功率器件,支持金属材料的快速加热过程。
    使用建议
    - 在设计中需考虑散热问题,确保良好的热管理。
    - 使用适当的门极电阻以实现最佳开关速度与功耗平衡。
    - 针对高频应用场合,尽量缩短引脚长度,减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    IXER 35N120D1 与其他常见的 ISOPLUS 247TM 封装产品完全兼容,方便客户替换升级现有设计方案。制造商提供了详尽的技术支持文档及样品测试服务,帮助用户快速掌握产品的使用方法。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的门极驱动电阻?
    - 答:根据应用需求调整门极电阻值,一般建议值范围为39Ω~75Ω之间。
    2. 问:为何需要良好的散热措施?
    - 答:因为该模块的热阻抗较高,过高的温度会影响性能甚至损坏器件。
    3. 问:如何降低反向恢复损失?
    - 答:通过优化PCB布局和选择合适的外部补偿电路来减少反向恢复损耗。

    总结和推荐


    IXER 35N120D1 是一款集成了先进技术和实用功能于一体的高性能功率半导体器件。它不仅满足了现代电力电子设备对于高效能、高可靠性的要求,还展示了卓越的成本效益。对于需要高性能功率管理的应用场景而言,这款产品无疑是一个值得信赖的选择。因此,我们强烈推荐这款产品给那些寻求稳定可靠解决方案的企业和个人。

IXER35N120D1参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 2.2V
配置 独立式
集电极电流 50A
最大功率耗散 200W
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
包装方式 管装

IXER35N120D1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXER35N120D1数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXER35N120D1 IXER35N120D1数据手册

IXER35N120D1封装设计

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