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IXYT30N65C3H1HV

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 270W 2.35V 独立式 650V 60A TO-268AA 贴片安装
供应商型号: ZT-IXYT30N65C3H1HV
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXYT30N65C3H1HV

IXYT30N65C3H1HV概述

    XPTTM GenX3TM IGBT 技术手册

    产品简介


    IXYT30N65C3H1HV 和 IXYH30N65C3H1 是由IXYS公司开发的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这些IGBT设计用于20到60kHz范围内的开关应用,如电源逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电路(PFC)、电池充电器、焊接机、灯镇流器和高频电源逆变器。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 集电极-发射极电压 (VCES): 650V
    - 极限电压 (VCES, VCGR): 650V
    - 门极-发射极电压 (VGES): ±20V
    - 瞬态门极电压 (VGEM): ±30V
    - 电流参数:
    - 最大集电极电流 (IC): 60A (TC=25°C),30A (TC=110°C)
    - 最大瞬态电流 (IF): 29A (TC=110°C)
    - 最大脉冲电流 (ICM): 118A (TC=25°C)
    - 最大绝对电流 (IA): 10A (TC=25°C)
    - 其他参数:
    - 漏电电流 (ICES): 50μA (TJ=150°C)
    - 门极-发射极漏电流 (IGES): ±100nA
    - 饱和电压 (VCE(sat)): 2.35V至2.70V (IC=30A, VGE=15V)
    - 反向恢复时间 (trr): 120ns (TJ=150°C)
    - 导通延迟时间 (td(on)): 21ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 75ns
    - 转换时间 (tfi): 24ns
    - 门极电荷 (Qg(on)): 44nC

    产品特点和优势


    - 优化的开关性能: 这些IGBT针对20至60kHz的频率进行了优化,能够在高频率应用中表现出色。
    - 坚固耐用: 具有高功率密度和抗短路能力,适用于苛刻的应用环境。
    - 低门极驱动需求: 较低的门极驱动电压可以降低功耗,提高效率。
    - 反并联超声二极管: 为应用提供了额外的保护和性能提升。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 这些IGBT广泛应用于电力转换系统、不间断电源、电机驱动、电源管理和工业控制设备中。
    - 使用建议: 在使用这些IGBT时,确保散热系统的有效性,因为高频率应用会产生大量热量。建议在设计中采用热阻较低的封装和有效的冷却方法。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些IGBT与现有的电源转换设备和控制器具有良好的兼容性,适用于多种应用场景。
    - 支持和服务: IXYS公司提供详细的技术文档、应用指南和支持服务,帮助用户快速部署和优化这些IGBT。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何优化IGBT的热管理?
    - 解决方案: 使用高效的散热片或散热器,并确保良好的空气流通。在设计中考虑IGBT的热阻值,选择适当的封装和安装方式。

    - 问题: 如何减少IGBT的开关损耗?
    - 解决方案: 通过减小门极电阻 (RG) 和选择合适的门极驱动电压来优化开关特性。此外,确保IGBT的工作温度在其额定范围内。

    总结和推荐


    IXYT30N65C3H1HV 和 IXYH30N65C3H1 是非常出色的IGBT,具有高功率密度、强抗短路能力和低门极驱动需求,非常适合高频率应用。其独特的设计使其在电力转换和工业自动化领域中表现出色。我们强烈推荐这些IGBT用于需要高可靠性和高效能的应用场景。

IXYT30N65C3H1HV参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 2.35V
配置 独立式
集电极电流 60A
最大功率耗散 270W
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXYT30N65C3H1HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXYT30N65C3H1HV数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXYT30N65C3H1HV IXYT30N65C3H1HV数据手册

IXYT30N65C3H1HV封装设计

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