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IXTF02N450

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 78W(Tc) 20V 6.5V@ 250µA 10.4nC@ 10 V 1个N沟道 4.5KV 750Ω@ 10mA,10V 200mA 256pF@25V ISOPLUS-I4-PAK-3 通孔安装
供应商型号: IXTF02N450-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTF02N450

IXTF02N450概述

    IXTF02N450 高压功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTF02N450 是一款高性能的高压 N 沟道增强型 MOSFET(绝缘源极),专为高压电力应用设计。该器件通过直接铜键合(Direct-Copper Bond, DCB)基板将硅芯片直接集成到封装上,提供了高电压封装和易于安装的特点。IXTF02N450 主要应用于高电压电源、电容放电电路、脉冲电路以及激光和X射线生成系统等高压环境中。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大击穿电压 \( V{DSS} \): 4500V
    - 最大栅源电压 \( V{GSS} \): ±20V (连续), ±30V (瞬态)
    - 最大漏极电流 \( I{D25} \): 200mA (25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 600mA (25°C)
    - 最大耗散功率 \( PD \): 78W (25°C)

    - 工作温度范围
    - 结温 \( TJ \): -55°C 至 +150°C
    - 最大接点温度 \( T{JM} \): 150°C
    - 存储温度 \( T{STG} \): -55°C 至 +150°C

    - 机械特性
    - 最大引脚焊接温度 \( TL \): 300°C
    - 最大塑封体焊接温度 \( T{SOLD} \): 260°C
    - 安装力 \( F{C} \): 20..120 / 4.5..27 N/lb.

    - 绝缘特性
    - 隔离电压 \( V{ISOL} \): 4500V (50/60Hz, 1分钟)

    - 重量
    - 6g

    产品特点和优势


    1. 高电压封装:具备4500V的隔离电压,适用于高电压电力应用。
    2. 易于安装:采用绝缘源极设计,便于安装和集成。
    3. 空间节省:紧凑的设计使得器件在有限的空间内也能高效工作。
    4. 高功率密度:高效的热管理和良好的电气特性使其能够提供高功率密度。

    应用案例和使用建议


    IXTF02N450 可用于高电压电源、电容放电电路和脉冲电路等应用中。例如,在高电压电源中,该器件可以有效控制电流和电压,确保系统的稳定运行。为了最大化其性能,建议使用适当的散热措施来管理结温,特别是在高温环境下使用时。同时,合理规划电路布局以避免不必要的寄生效应也是提高效率的关键。

    兼容性和支持


    IXTF02N450 与其他标准的电子元器件具有良好的兼容性。厂商提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排除手册。此外,IXYS公司还为用户提供定期的软件更新和技术咨询,帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定器件的散热需求?
    答:根据应用环境和负载条件,计算器件的最大功耗,然后参考热阻值选择合适的散热方案。

    2. 问:如何测量高温下的漏极电流?
    答:需要为器件提供适当的散热措施,并在测试时监测结温,以确保测试结果准确。

    总结和推荐


    IXTF02N450 高压功率 MOSFET 是一款适用于高电压电力应用的理想选择。其紧凑的尺寸、高可靠性以及出色的电气特性使其在各种高压环境中表现出色。建议在高电压电源和脉冲电路中使用此器件,以实现高效、稳定的电力传输和转换。综上所述,强烈推荐在相关应用中使用此产品。

IXTF02N450参数

参数
Id-连续漏极电流 200mA
Rds(On)-漏源导通电阻 750Ω@ 10mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 10.4nC@ 10 V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 256pF@25V
最大功率耗散 78W(Tc)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 4.5KV
通用封装 ISOPLUS-I4-PAK-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTF02N450厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTF02N450数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTF02N450 IXTF02N450数据手册

IXTF02N450封装设计

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