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IXTH90P10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 462W(Tc) 20V 4V@ 250µA 120nC@ 10 V 1个P沟道 100V 25mΩ@ 45A,10V 90A 5.8nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXTH90P10P
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH90P10P

IXTH90P10P概述

    IXXT90P10P 和 IXTH90P10P MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXXT90P10P 和 IXTH90P10P 是 IXYS 公司生产的 P 通道增强模式 MOSFET,具有国际标准封装,适用于高功率密度应用。这些器件专为高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备和电流调节器等多种应用而设计。它们的特点包括抗雪崩击穿能力、快速内在二极管、坚固的 PolarPTM 工艺、低封装电感等。

    技术参数


    以下是这些 MOSFET 的关键技术参数:
    - 最大额定值:
    - VDSS(栅源电压):-100V
    - VDGR(栅极漏极间反向电压):-100V
    - VGSS(栅源电压连续):±20V
    - VGSM(栅源电压瞬态):±30V
    - 最大连续漏极电流(ID25):-90A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):-225A(脉冲宽度受结温限制)
    - 脉冲雪崩能量(EAS):2.5J
    - dv/dt(最小切换速度):10V/ns
    - 结温范围:-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 引脚温度(峰值):300°C(10秒)
    - 塑料本体温度(峰值):260°C(10秒)
    - 电气特性:
    - BVDSS(漏极-源极击穿电压):-100V(ID = -250μA)
    - VGS(th)(阈值电压):-2.0V 至 -4.0V(ID = -250μA)
    - RDS(on)(导通电阻):25mΩ(VGS = -10V, ID = 0.5 ID25)
    - Ciss(输入电容):5800pF
    - Crss(反向传输电容):510pF
    - Qg(on)(门电荷):120nC

    产品特点和优势


    这些 MOSFET 的主要特点和优势如下:
    - 国际标准封装:便于安装和集成。
    - 抗雪崩击穿:适用于需要高可靠性的应用。
    - 快速内在二极管:提高系统效率。
    - 坚固的 PolarPTM 工艺:提供更高的可靠性。
    - 低封装电感:降低电磁干扰,提高系统性能。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于多种场合,例如:
    - 高侧开关:利用其高电流能力和低导通电阻,提高系统的功率密度。
    - 推挽放大器:由于快速的内在二极管,能够实现高效且可靠的信号放大。
    - 直流斩波器:适合需要高效率转换的应用。
    - 自动测试设备:具备高可靠性和抗雪崩击穿能力,确保测试设备的稳定性。
    - 电流调节器:能够精确控制电流输出,适用于精密应用。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应确保散热良好,避免过热。
    - 选择合适的栅极驱动电路,以充分利用其快速切换特性。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持标准引脚布局,与常见的电源管理系统兼容。IXYS 提供详尽的技术支持文档和在线支持,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:温度过高导致性能下降。
    解决方案:增加散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 问题:电流输出不稳定。
    解决方案:检查栅极驱动电路,确保电压稳定。
    - 问题:电磁干扰问题。
    解决方案:优化电路布局,减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    IXXT90P10P 和 IXTH90P10P 是高性能 P 通道增强模式 MOSFET,具备抗雪崩击穿能力、快速内在二极管和低封装电感等显著特点。这些特点使其成为高侧开关、推挽放大器和电流调节器等应用的理想选择。总体而言,这些 MOSFET 在高功率密度应用中表现出色,值得推荐。如果您正在寻找高性能的 MOSFET 来提升系统的可靠性和效率,那么 IXXT90P10P 和 IXTH90P10P 将是一个不错的选择。

IXTH90P10P参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 45A,10V
最大功率耗散 462W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.8nF@25V
Id-连续漏极电流 90A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
栅极电荷 120nC@ 10 V
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.46mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH90P10P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH90P10P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH90P10P IXTH90P10P数据手册

IXTH90P10P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 81.0334
900+ ¥ 78.2149
1350+ ¥ 76.8056
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起订量: 450 增量: 450
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