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IXFY26N30X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 170W(Tc) 20V 4.5V@ 500µA 22nC@ 10 V 1个N沟道 300V 66mΩ@ 13A,10V 26A 1.465nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: ZT-IXFY26N30X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFY26N30X3

IXFY26N30X3概述

    X3-Class HiPERFETTM Power MOSFET

    1. 产品简介


    X3-Class HiPERFETTM 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于高电压和大电流的应用场合。该产品以其高功率密度、低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性而著称。主要型号包括 IXYF26N30X3、IXFA26N30X3 和 IXFP26N30X3。它们适用于各种开关模式和共振模式电源供应器、DC-DC 转换器、功率因数校正电路(PFC)、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS (击穿电压) | 300 V | - | 300 V |
    | VGS(th) (阈值电压)| 2.5 V | 4.5 V | - |
    | RDS(on) (导通电阻) | - | 66 mΩ | - |
    | ID (连续漏极电流) | - | 26 A | - |
    | PD (耗散功率) | - | 170 W | - |
    其他关键参数还包括:脉冲电流 IDM (40 A)、雪崩耐量 EAS (250 mJ)、上升时间 trr (105 ns)、栅极电荷 Qg (22 nC) 等。此外,该产品具有较高的热阻 RthJC (0.73°C/W) 和低栅极输入电阻 RGi (1.4 Ω),以提高系统的稳定性和可靠性。

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:在紧凑的封装中提供强大的电流处理能力。
    - 易安装:适合在多种标准封装内安装,方便快捷。
    - 节省空间:小型封装设计减少板级空间占用。
    - 低导通电阻:典型值为 66 mΩ,减少功耗并提高效率。
    - 低栅极电荷:快速开关能力,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    X3-Class HiPERFETTM 主要应用于开关电源和共振电源系统、DC-DC 转换器、功率因数校正电路、电机驱动和工业自动化设备如机器人和伺服控制。在这些应用中,它能够有效降低损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 在高频率和高温环境下使用时,注意散热管理。
    - 选择合适的外部栅极电阻 (RG) 以确保快速开关性能。
    - 定期检查产品的工作状态,确保长期可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用国际标准封装,包括 TO-252、TO-263 和 TO-220,易于与其他标准组件集成。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户进行选型和使用指导。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过热?
    - 答:确保良好的散热设计,如使用散热片或冷却风扇。
    2. 问:栅极充电时间较长怎么办?
    - 答:增加外部栅极电阻 (RG) 以降低充电速度。
    3. 问:工作温度范围较窄怎么办?
    - 答:选用更宽工作温度范围的型号或改进散热设计。

    7. 总结和推荐


    X3-Class HiPERFETTM 以其卓越的性能和广泛的应用范围成为市场上的一大亮点。它的高功率密度、低导通电阻和快速开关特性使其成为众多应用的理想选择。总体而言,推荐在需要高效能、高可靠性及紧凑设计的应用中使用此款产品。

IXFY26N30X3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 66mΩ@ 13A,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 26A
栅极电荷 22nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 300V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.465nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 500µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 170W(Tc)
通道数量 -
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFY26N30X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFY26N30X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFY26N30X3 IXFY26N30X3数据手册

IXFY26N30X3封装设计

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