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IXFH15N80Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4.5V@4mA 90nC@ 10 V 1个N沟道 800V 600mΩ@ 7.5A,10V 15A 4.3nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: LDL-IXFH15N80Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH15N80Q

IXFH15N80Q概述

    # IXFH15N80Q/IXFT15N80Q HiPerFET™ Power MOSFETs 技术手册解析

    产品简介


    产品类型与功能
    IXFH15N80Q 和 IXFT15N80Q 是 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。作为一款高速开关器件,它适用于高频、高效率的应用场景,例如电源转换、逆变器、电机控制及照明系统等领域。
    主要应用领域
    - 电源管理(AC/DC 和 DC/DC 转换器)
    - 电机驱动器
    - 工业控制
    - 照明控制
    - 可再生能源设备(如太阳能逆变器)

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(漏源击穿电压) | 800 V | —— | 800 V |
    | VGS(th)(门限电压) | 2.0 V | 3.25 V | 4.5 V |
    | RDS(on)(导通电阻) | 0.60 Ω | —— | 0.60 Ω |
    | ID(连续漏极电流) | —— | 15 A | —— |
    | PD(最大耗散功率) | —— | —— | 300 W |
    | Tj(结温范围) | -55°C | —— | 150°C |
    这些参数表明该器件具有卓越的性能,特别是在高电压和大电流环境下仍能保持稳定的运行。
    产品特点与优势
    特点
    - 使用 IXYS 高级低 Qg 制程工艺,确保低功耗、高效能。
    - 符合国际标准封装,易于集成。
    - 快速开关特性,减少能耗并提升效率。
    - 模塑环氧树脂符合 UL94V-0 阻燃等级,保证安全可靠。
    优势
    - 小巧轻便的设计降低了系统成本并提升了空间利用率。
    - 极高的功率密度适合紧凑型设计需求。
    - 在高温条件下依然保持稳定性能,适应严苛工业环境。
    应用案例与使用建议
    应用案例
    此款 MOSFET 广泛应用于高频率开关电路中。例如,在太阳能逆变器中,IXFH15N80Q/IXFT15N80Q 能够提供快速的开关响应时间,从而提高整体系统的效率。此外,在工业电机驱动中,它的低 RDS(on) 特性可以有效降低损耗,延长设备寿命。
    使用建议
    - 确保良好的散热条件以避免过热损坏。
    - 正确选择栅极驱动电路,避免过高电压冲击。
    - 定期检查电路板上的焊点,防止因疲劳而导致失效。

    兼容性和支持


    兼容性
    该器件采用标准 TO-247 和 TO-268 封装形式,与市场上大多数 PCB 设计兼容,便于更换升级现有组件。同时,IXYS 提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决问题。
    厂商支持
    IXYS 公司提供全面的技术支持,包括在线资源库、样品申请以及定制化解决方案咨询。用户可通过官方网站获取最新资料,并联系技术支持团队处理具体问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常噪声 | 检查电路布局,改善接地设计 |
    | 温度升高超过正常水平 | 添加外部散热片或改进散热机制 |
    | 导通电阻突然增大 | 检测连接是否松动或存在腐蚀现象 |
    总结与推荐
    总体而言,IXFH15N80Q/IXFT15N80Q HiPerFET™ 功率 MOSFET 是一款性能优异且应用广泛的电子元器件。它凭借先进的制造工艺、出色的电气特性和可靠性,在多种工业环境中表现良好。对于需要高效能、高可靠性的用户来说,这款产品无疑是一个理想的选择。
    推荐使用:是
    鉴于其强大的功能和广泛的应用场景,我们强烈建议将其纳入相关项目的设计之中。如果您正在寻找一款能够应对复杂工况挑战的 MOSFET,那么 IXFH15N80Q/IXFT15N80Q 将不会让您失望。

IXFH15N80Q参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 7.5A,10V
Id-连续漏极电流 15A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 90nC@ 10 V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFH15N80Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH15N80Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH15N80Q IXFH15N80Q数据手册

IXFH15N80Q封装设计

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