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IXFA7N80P-TRL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 200W(Tc) 30V 5V@1mA 32nC@ 10 V 1个N沟道 800V 1.44Ω@ 3.5A,10V 7A 1.8nF@25V TO-263 贴片安装
供应商型号: ZT-IXFA7N80P-TRL
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFA7N80P-TRL

IXFA7N80P-TRL概述

    IXFA7N80P/IXFP7N80P 800V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    IXFA7N80P和IXFP7N80P是IXYS公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件具有800V的最大击穿电压和高达7A的连续漏极电流。IXFA7N80P采用TO-263封装,而IXFP7N80P则采用TO-220封装。它们适用于多种电源管理应用,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和共振模式电源供应系统等。

    2. 技术参数


    - 最大击穿电压:VDSS = 800V
    - 最大连续漏极电流:
    - TC = 25°C时,ID25 = 7A
    - TC = 25°C,脉冲宽度受TJM限制时,IDM = 18A
    - 最大耗散功率:PD = 200W
    - 最大栅源电压:
    - 持续值:VGSS = ±30V
    - 瞬态值:VGSM = ±40V
    - 耐脉冲电流:EAS = 300mJ
    - 关断时间:
    - 充电时间td(on) ≤ 28ns
    - 放电时间tr ≤ 32ns
    - 开启时间td(off) ≤ 55ns
    - 关闭时间tf ≤ 24ns
    - 结到壳热阻:
    - RthJC = 0.62°C/W
    - TO-220封装时,RthCH = 0.50°C/W
    - 栅漏电容:
    - Crss = 9.5pF
    - Coss = 128pF
    - Ciss = 1800pF
    - 阈值电压:VGS(th) = 3.0 ~ 5.0V
    - 导通电阻:RDS(on) ≤ 1.44Ω(在VGS = 10V,ID = 0.5•ID25下)
    - 驱动电阻:RG = 10Ω(外部)

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:支持广泛的应用。
    - 动态dv/dt额定值:确保在高频率应用中的可靠性。
    - 雪崩额定值:适合恶劣环境下的应用。
    - 快速内部二极管:提供高效的能量转换。
    - 低栅电荷:提高效率并减少功耗。
    - 易于安装:简化制造流程。
    - 节省空间:适合紧凑设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:用于高效电源转换,特别是在需要高电压和大电流的场合。
    - 电池充电器:提供快速且可靠的充电能力。
    - 开关模式电源:提供高效率的能量转换,特别适用于便携式设备。
    - 不间断电源:为关键负载提供稳定电力供应。
    使用建议:
    - 在使用过程中注意散热,以避免过热导致损坏。
    - 使用外部驱动电阻RG来优化开关速度。
    - 在高电压环境下,注意保护措施以防止过压损坏。

    5. 兼容性和支持


    IXFA7N80P和IXFP7N80P支持标准的TO-263和TO-220封装,可与其他电子设备良好兼容。IXYS公司提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重。
    - 解决方法:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇帮助散热。
    - 问题2:开关速度慢。
    - 解决方法:优化栅极驱动电阻RG的值,通常10Ω是一个好的起点。
    - 问题3:阈值电压不一致。
    - 解决方法:使用具有更窄阈值电压范围的产品,或者在使用前进行筛选测试。

    7. 总结和推荐


    IXFA7N80P和IXFP7N80P以其出色的电气性能和广泛的适用性成为高性能MOSFET的理想选择。它们具备优秀的导通电阻和低栅电荷,能够在多种电源管理应用中表现出色。推荐给对高效能和可靠性的应用有所需求的设计工程师。
    综上所述,IXFA7N80P和IXFP7N80P在各种应用中表现出色,特别是对于需要高电压和大电流的电源管理应用,强烈推荐选用。

IXFA7N80P-TRL参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 32nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.44Ω@ 3.5A,10V
配置 独立式
最大功率耗散 200W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.8nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IXFA7N80P-TRL厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFA7N80P-TRL数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFA7N80P-TRL IXFA7N80P-TRL数据手册

IXFA7N80P-TRL封装设计

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