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IXFH86N30T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 860W(Tc) 20V 5V@4mA 180nC@ 10 V 1个N沟道 300V 43mΩ@ 43A,10V 86A 11.3nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXFH86N30T
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH86N30T

IXFH86N30T概述

    IXFH86N30T 和 IXFT86N30T 技术手册解析

    一、产品简介


    IXFH86N30T 和 IXFT86N30T 是由 IXYS Corporation 生产的 N 沟道增强模式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件具有快速内嵌整流二极管,具备抗雪崩能力,非常适合在高电流、高速开关的应用环境中使用。它们广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源供应器、直流斩波器、交流电机驱动、不间断电源系统以及高速电力开关等领域。

    二、技术参数


    1. 最大额定值:
    - VDSS:300V
    - VDGR:300V
    - VGSS:±20V(连续)
    - ID25:86A(TC=25°C)
    - IDM:190A(TC=25°C,脉冲宽度受 TJM 限制)
    - IA:43A
    - EAS:1.5J
    - PD:860W
    - dV/dt:20V/ns(IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C)
    - TJ:-55°C 到 +150°C
    - TJM:+150°C
    - Tstg:-55°C 到 +150°C
    - TL:1.6mm(从外壳起)持续10秒达到300°C
    - TSOLD:塑料体持续10秒达到260°C
    - Md:安装扭力(TO-247)1.13/10 Nm/lb.in.
    - Weight:TO-247 6.0g,TO-268 4.0g
    2. 特征值:
    - BVDSS:300V(VGS = 0V, ID = 1mA)
    - VGS(th):3.0V 到 5.0V(VDS = VGS, ID = 4mA)
    - IGSS:±200nA(VGS = ±20V, VDS = 0V)
    - IDSS:25μA(VDS = VDSS, VGS = 0V),TJ = 125°C 时为 1mA
    - RDS(on):46mΩ(VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25)

    三、产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供标准封装,方便集成到不同电路设计中。
    - 抗雪崩能力:适用于各种严苛的工作环境。
    - 高电流处理能力:适用于高功率应用。
    - 快速内嵌整流二极管:加快开关速度,提高效率。
    - 低 RDS(on):降低功耗,提升能效。

    四、应用案例和使用建议


    - DC-DC 转换器:通过调整栅极电阻可以实现精确控制。
    - 电池充电器:利用其高耐压能力和高电流处理能力,确保快速安全充电。
    - 开关模式电源供应器:通过优化散热设计来延长使用寿命。
    - 直流斩波器:合理布局电路板,减少寄生电容和电感的影响。
    - 交流电机驱动:选择适当的驱动电路,以优化电机的启动和运行性能。
    - 不间断电源系统:结合专用保护电路,提高系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保良好的散热设计,以防止过热导致器件损坏。
    - 根据具体应用需求调整栅极电阻,优化开关时间和能效。
    - 使用合适的 PCB 布局,减少寄生效应,提高可靠性。

    五、兼容性和支持


    - 兼容性:这些器件与标准接口和尺寸相匹配,便于与其他电子元器件配合使用。
    - 支持:IXYS Corporation 提供技术支持和售后服务,确保用户能够获得最佳使用体验。

    六、常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出规定范围。
    解决方案:检查散热设计,确保工作温度在规定的范围内。
    2. 问题:过高的电压导致器件损坏。
    解决方案:使用合适的外部保护电路,避免超过最大额定值。
    3. 问题:发热严重。
    解决方案:优化散热设计,增加散热片或其他散热措施。

    七、总结和推荐


    IXFH86N30T 和 IXFT86N30T 是高性能的 N 沟道增强模式功率 MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。这些产品非常适合用于高功率应用中,如直流-直流转换器、电池充电器等。其国际标准封装和可靠的抗雪崩能力使其在多种复杂环境中表现出色。考虑到其出色的性能和可靠性,强烈推荐使用此系列 MOSFET。

IXFH86N30T参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@ 43A,10V
Id-连续漏极电流 86A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 300V
栅极电荷 180nC@ 10 V
最大功率耗散 860W(Tc)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.3nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@4mA
通道数量 1
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH86N30T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH86N30T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH86N30T IXFH86N30T数据手册

IXFH86N30T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 32.2575
60+ ¥ 31.1355
90+ ¥ 30.5745
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起订量: 30 增量: 30
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