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IXTA76P10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 298W(Tc) 15V 4V@ 250µA 197nC@ 10 V 1个P沟道 100V 25mΩ@ 38A,10V 76A 13.7nF@25V TO-263AA 贴片安装 9.65mm*10.41mm*4.83mm
供应商型号: 3438409
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA76P10T

IXTA76P10T概述


    产品简介


    IXYS公司的IXTT76P10THV是一款P-通道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有额定电压为-100V的雪崩击穿能力。这款MOSFET具有极低的导通电阻(RDS(on) ≤ 25mΩ),适用于多种高功率应用。主要特点包括国际标准封装、大范围的安全操作区域(FBSOA)、快速固有二极管以及低栅极电荷(QG)和导通电阻(RDS(ON))。IXTT76P10THV可以应用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器及电池充电应用等多种场合。

    技术参数


    以下是根据手册中的技术参数整理的主要规格:
    - 最大耐压:VDSS = -100V
    - 栅极电压:
    - 连续栅极电压:VGSS = ±15V
    - 瞬态栅极电压:VGSM = ±25V
    - 连续电流:ID25 = -76A
    - 脉冲电流:IDM = -230A(脉宽受限于TJM)
    - 结温:TJ = -55 ... +150°C
    - 最大结温:TJM = 150°C
    - 存储温度:Tstg = -55 ... +150°C
    - 散热:TL 最大引线焊接温度 = 300°C
    - 封装重量:
    - TO-263:2.5g
    - TO-220:3.0g
    - TO-268HV:4.0g
    - TO-247:6.0g

    产品特点和优势


    IXTT76P10THV具有如下优势:
    - 国际标准封装:提供可靠的机械连接和热管理。
    - 大范围的安全操作区域:适合于高功率密度的应用。
    - 快速固有二极管:提高效率并减少开关损耗。
    - 低导通电阻和栅极电荷:降低能耗和提高整体性能。

    应用案例和使用建议


    IXTT76P10THV广泛应用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器及电池充电应用中。在设计高侧开关时,可以通过调整驱动电路的参数来优化性能。例如,在推挽放大器中,为了最大限度地减少损耗,可以选择更小的栅极电阻,从而降低开关时间和能量损失。

    兼容性和支持


    IXTT76P10THV符合国际标准封装规范,如TO-220、TO-247等。如果需要更多的技术支持和售后保障,用户可以联系IXYS公司获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: MOSFET的栅极电荷过高会导致什么问题?
    - A: 高栅极电荷会增加开关损耗,导致发热增加,降低效率。解决方案是选择导通电阻更低、栅极电荷更低的MOSFET,或优化驱动电路的设计。
    - Q: 如何避免MOSFET过热?
    - A: 在高功率应用中,合理布置散热片,并确保良好的空气流通。也可以通过增加散热片或使用热管等方式提高散热效果。

    总结和推荐


    综上所述,IXTT76P10THV是一款高性能的P-通道增强型功率MOSFET,具有低导通电阻、大安全操作区域、快速固有二极管等特点。它非常适合用于高侧开关、推挽放大器等高功率应用。其优越的性能和国际标准封装使其成为市场上极具竞争力的产品。对于需要高效率、低损耗和可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用IXTT76P10THV。

IXTA76P10T参数

参数
Vgs-栅源极电压 15V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.7nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 38A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 76A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 197nC@ 10 V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 298W(Tc)
长*宽*高 9.65mm*10.41mm*4.83mm
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA76P10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA76P10T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA76P10T IXTA76P10T数据手册

IXTA76P10T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 34.1846
10+ ¥ 30.0825
100+ ¥ 29.5355
500+ ¥ 29.5355
1000+ ¥ 29.5355
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