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IXFH60N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@4mA 155nC@ 10V 1个N沟道 200V 33mΩ@ 30A,10V 60A 5.2nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: ZT-IXFH60N20
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH60N20

IXFH60N20概述


    产品简介


    本产品是一款IXYS公司的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(增强型N沟道功率场效应晶体管),型号为IXFH 60N20和IXFT 60N20。该晶体管具有200V的最大耐压能力和高dv/dt能力,主要用于高压、大电流的应用场景,如电源转换、电机控制等领域。IXFH 60N20采用TO-247封装,而IXFT 60N20则采用TO-268封装,适合各种工业控制和消费电子设备中的功率转换应用。

    技术参数


    - 最大耐压:VDSS = 200V(温度范围:-55°C至+150°C)
    - 最大栅极电压:VGS连续 = ±20V,瞬时 = ±30V
    - 漏极电流:ID25 = 60A,脉冲电流 = 240A
    - 门限电压:VGS(th) = 2.0V至4.0V(漏极电流ID = 4mA)
    - 通态电阻:RDS(on) = 33mΩ(栅极电压VGS = 10V,漏极电流ID = 0.5 ID25)
    - 转换速率:最大dv/dt = 5V/ns
    - 热阻:RthJC = 0.42K/W(TO-247);RthCK = 0.25K/W(TO-247)

    产品特点和优势


    该功率MOSFET具有多个独特的特点和优势,使其在市场上具有竞争力:
    - 低通态电阻:RDS(on) = 33mΩ,使得功率损耗低,效率高。
    - 高dv/dt能力:能够承受高变化率的电压,适用于高速开关应用。
    - 国际标准封装:符合国际标准,便于安装和维护。
    - 高温适应性:工作温度范围宽,可达-55°C至+150°C,确保在极端环境下的稳定性。
    - 抗雪崩性能:通过了雪崩测试,确保在不稳态条件下依然可靠。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场景,如电源转换、电机驱动、通信设备等。以电源转换为例,在设计电源电路时,选择IXFH 60N20作为开关元件可以显著提高电源转换效率,降低发热,延长使用寿命。使用时建议关注以下几个方面:
    - 散热管理:由于其高功率密度,需要良好的散热措施,例如采用高效的散热片和热管。
    - 驱动电路设计:为了减少开关损耗,建议使用快速开关的驱动电路,如高速光耦或专用驱动芯片。

    兼容性和支持


    IXFH 60N20和IXFT 60N20均采用了标准的TO-247和TO-268封装,可与其他相同封装的元件互换使用。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的使用手册和技术支持热线,以帮助用户解决问题并优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 发热过高:可能是因为散热不良造成的。建议加强散热措施,例如增加散热片或风扇。
    2. 导通延迟时间长:可能是驱动电路不匹配造成的。调整驱动电路的参数,如增加栅极电阻或更换更合适的驱动芯片。
    3. 过流保护失效:检查过流保护电路的设计,确保其能在超过限定值时及时切断电源。

    总结和推荐


    总体而言,IXFH 60N20和IXFT 60N20在性能和可靠性方面表现出色,具有广泛的适用范围和强大的市场竞争力。其低通态电阻、高耐压能力和出色的温度适应性使其成为许多应用场景的理想选择。建议在需要高效、可靠的功率转换应用中使用此产品。

IXFH60N20参数

参数
栅极电荷 155nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@ 30A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 300W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.2nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
Id-连续漏极电流 60A
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH60N20厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH60N20数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH60N20 IXFH60N20数据手册

IXFH60N20封装设计

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