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IXFR18N90P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 200W(Tc) 30V 6V@1mA 97nC@ 10 V 1个N沟道 900V 660mΩ@ 9A,10V 10.5A 5.23nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: IXFR18N90P
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR18N90P

IXFR18N90P概述


    产品简介


    IXFR18N90P Polar IXFR18N90P TMHiPerFETTM Power MOSFET
    IXFR18N90P是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,采用直接铜键合(DCB)基板,具有隔离安装表面。该产品主要适用于直流-直流转换器、开关模式电源和谐振模式电源等应用场景,广泛应用于激光驱动器、直流斩波器以及交流和直流电机驱动等领域。IXFR18N90P具备高功率密度、易于安装和空间节省等优势。

    技术参数


    IXFR18N90P的关键技术参数如下:
    - 漏源击穿电压 (VDSS):900V
    - 连续栅极电压 (VGSS):± 30V
    - 漏极电流 (ID):10.5A(TC = 25°C)
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):3.5V 至 6.5V(TJ = 25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):≤ 660mΩ(VGS = 10V, ID = 9A)
    - 雪崩耐量 (EAS):800 mJ(TC = 25°C)
    - 上升时间 (td(on)):40 ns
    - 反向恢复时间 (trr):300 ns
    - 栅极电荷 (Qg):97 nC
    - 输入电容 (Ciss):5230 pF
    - 最大结温 (TJM):150°C
    - 储存温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    IXFR18N90P的主要特点及优势如下:
    - 高功率密度:IXFR18N90P在紧凑的封装中提供了强大的功率处理能力,有助于提高系统的整体效率。
    - 易于安装:独特的隔离安装表面设计使得安装过程更为便捷。
    - 空间节省:高效的空间利用率使其适用于对空间要求较高的应用场合。
    - 电气隔离:2500V~电气隔离特性确保了其在高压环境下的安全可靠运行。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 直流-直流转换器:IXFR18N90P因其高功率密度和低导通电阻,非常适合用于直流-直流转换器,以实现高效的能量转换。
    - 开关模式和共振模式电源:该产品在这些电源系统中的应用能够显著提升电源转换效率。
    - 激光驱动器:IXFR18N90P的快速响应时间和低导通电阻使它成为激光驱动器的理想选择。
    - 电机驱动:在电机驱动应用中,IXFR18N90P可以有效降低功耗,提高驱动系统的稳定性。
    使用建议:
    - 在使用IXFR18N90P时,建议将工作环境温度控制在合理范围内,避免过热影响性能。
    - 确保正确的安装方式,利用其隔离安装表面设计以提高散热效率。
    - 遵循推荐的栅极电压限制,避免电压过高导致器件损坏。

    兼容性和支持


    IXFR18N90P支持ISOPLUS247TM封装标准,可与其他符合该标准的组件和设备兼容。此外,IXYS公司为IXFR18N90P提供全方位的技术支持,包括详细的用户手册和技术文档。用户可以通过官方渠道获取这些资源,以便更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见的使用问题及解决方案如下:
    - 问题:设备出现过热现象
    - 解决方案:检查并优化散热系统,确保设备运行在合适的温度范围内。
    - 问题:导通电阻变大
    - 解决方案:确保栅极电压达到额定值,并且电流在正常范围内。
    - 问题:设备启动困难
    - 解决方案:确认所有连接正确无误,并且检查电源供应是否稳定。

    总结和推荐


    综上所述,IXFR18N90P作为一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,凭借其高功率密度、易于安装和电气隔离等独特优势,在多个应用领域展现出色的表现。结合详细的技术规格和全面的支持服务,IXFR18N90P无疑是一款值得推荐的产品。无论是对于新手还是有经验的设计者来说,它都是一个非常可靠的选择。

IXFR18N90P参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@1mA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 97nC@ 10 V
最大功率耗散 200W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.23nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 9A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10.5A
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.34mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFR18N90P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR18N90P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR18N90P IXFR18N90P数据手册

IXFR18N90P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 97.9067
900+ ¥ 94.5012
1350+ ¥ 92.7985
库存: 2730
起订量: 450 增量: 450
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