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IXFK170N25X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 960W(Tc) 20V 4.5V@4mA 190nC@ 10 V 1个N沟道 250V 7.4mΩ@ 85A,10V 170A 13.5nF@25V TO-264AA 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFK170N25X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK170N25X3

IXFK170N25X3参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 170A
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7.4mΩ@ 85A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 190nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
最大功率耗散 960W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.5nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 250V
通用封装 TO-264AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK170N25X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK170N25X3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK170N25X3 IXFK170N25X3数据手册

IXFK170N25X3封装设计

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