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IXFP5N100PM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 42W(Tc) 30V 6V@ 250µA 33.4nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 2.8Ω@ 2.5A,10V 2.3A 1.83nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: IXFP5N100PM
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFP5N100PM

IXFP5N100PM概述

    Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET (Electrically Isolated Tab)
    N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

    1. 产品简介


    Polar™ HiPerFET™ 是一款高性能的N沟道增强模式功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它特别适用于开关电源和共振模式电源、直流-直流转换器、激光驱动器以及交流和直流电机驱动等领域。该器件通过塑料封装提供电气隔离的焊盘,以提高应用的安全性和可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 耐压值 (VDSS): 1000V
    - 最大电流 (ID25): 2.3A
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤ 2.8Ω
    - 栅极-源极漏电流 (Igss): ±100nA
    - 栅极-源极击穿电压 (BVDSS): 1000V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 3.0 ~ 6.0V
    - 漏极-源极饱和漏电流 (IDSS): 10μA (TJ=125°C时为750μA)
    - 极限参数:
    - 连续栅极电压 (VGSS): ±30V
    - 瞬态栅极电压 (VGSM): ±40V
    - 高温最大电流 (ID25): 2.3A (TC=25°C)
    - 最大脉冲电流 (IDM): 10A (TC=25°C, 由TJM限制)
    - 最大持续电流 (IA): 5A (TC=25°C)
    - 雪崩能量 (EAS): 300mJ (TC=25°C)
    - dv/dt:10V/ns (IS≤IDM, VDD≤VDSS, TJ≤150°C)
    - 最大功耗 (PD): 42W (TC=25°C)
    - 工作温度范围 (TJ): -55 ... +150°C
    - 结温 (TJM): 150°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55 ... +150°C
    - 焊接最高引线温度 (TL): 300°C
    - 塑料体温度 (TSOLD): 260°C (塑料体持续10秒)
    - 安装扭矩 (Md): 1.13 / 10 Nm/lb.in.
    - 重量: 2.5g
    - 电容参数:
    - 输入电容 (Ciss): 1830pF
    - 输出电容 (Coss): 113pF
    - 反馈电容 (Crss): 20pF
    - 门输入电阻 (RGi): 1.6Ω
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12ns
    - 上升时间 (tr): 13ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30ns
    - 下降时间 (tf): 37ns
    - 栅极电荷:
    - 开启电荷 (Qg(on)): 33.4nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 10.6nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 14.4nC
    - 热阻抗:
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 3.0°C/W

    3. 产品特点和优势


    Polar™ HiPerFET™ 的核心优势在于高功率密度、易于安装和空间节省。这些特性使其非常适合紧凑型应用,如便携式电子产品和小型电机控制系统。其电气隔离的焊盘设计提高了系统的安全性,降低了电气干扰。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源和共振模式电源:这类应用中,高耐压值 (VDSS) 和高可靠性的雪崩能量 (EAS) 是关键,可以有效处理瞬态电压和电流冲击。
    - 直流-直流转换器:在需要高效率转换的场合,低导通电阻 (RDS(on)) 可减少发热并提升能效。
    - 激光驱动器和电机驱动:低栅极电荷 (Qg(on)) 和快速开关时间 (td(on), tr, td(off), tf) 可显著降低开关损耗,提高系统整体性能。

    5. 兼容性和支持


    Polar™ HiPerFET™ 在其工作环境中具有良好的兼容性,适合与各种常见的电路板材料和焊接工艺配合使用。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开机后设备不正常工作。
    - 解决方法:检查连接是否正确,特别是栅极-源极之间的连接,确认没有短路或开路现象。

    - 问题2:温度过高导致设备停机。
    - 解决方法:增加散热措施,确保安装环境的温度保持在允许范围内。同时检查散热片是否安装正确,以保证足够的散热效果。

    7. 总结和推荐


    Polar™ HiPerFET™ 以其出色的性能和可靠性成为了一款非常有竞争力的产品。它不仅在高电压和高电流应用中表现出色,而且其小巧的设计和简便的安装方式也使其在市场上占据了一席之地。总体来说,我强烈推荐这款产品给寻求高效、可靠和经济型解决方案的工程师们。

IXFP5N100PM参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 1KV
栅极电荷 33.4nC@ 10 V
最大功率耗散 42W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.83nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 2.5A,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 2.3A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFP5N100PM厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFP5N100PM数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFP5N100PM IXFP5N100PM数据手册

IXFP5N100PM封装设计

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600+ ¥ 37.3689
900+ ¥ 36.6956
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