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IXTH102N15T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 455W(Tc) 20V 5V@1mA 87nC@ 10 V 1个N沟道 150V 18mΩ@ 500mA,10V 102A 5.22nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXTH102N15T
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH102N15T

IXTH102N15T概述


    产品简介


    产品类型: N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET(N沟道增强型功率MOSFET)
    主要功能:
    - 高电流驱动能力
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 支持高频开关操作
    - 具备雪崩击穿能力
    应用领域:
    - DC-DC转换器
    - 电池充电器
    - 开关电源
    - 直流斩波器
    - 交流电机驱动
    - 不间断电源
    - 高速功率开关

    技术参数


    | 参数 | 数值 |

    | 最大漏源电压(VDSS) | 150 V |
    | 漏极连续电流(ID25) | 102 A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | ≤ 18 mΩ |
    | 工作温度范围(TJ) | -55°C to +175°C |
    | 最大耗散功率(PD) | 455 W |
    | 峰值漏极电流(ILRMS) | 75 A |
    | 瞬态峰值漏极电流(IDM)| 300 A |
    | 二极管重复峰值电流(IRM)| 8.4 A |

    产品特点和优势


    特点:
    - 国际标准封装
    - 具备雪崩击穿能力
    - 易于安装
    - 节省空间
    - 高功率密度
    优势:
    - 在高频和高温环境中表现出色
    - 极低的导通电阻,减少损耗
    - 适用于多种应用,具有广泛兼容性

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一台DC-DC转换器中使用,以实现高效能量转换。
    - 在电机驱动系统中使用,提供可靠的电流控制和保护。
    使用建议:
    - 当应用于高频开关电路时,确保散热良好以避免过热。
    - 在电机驱动应用中,注意使用适当的外部电路来保护MOSFET免受反向电压的影响。

    兼容性和支持


    该产品具备国际标准封装,适用于多种电路设计。IXYS公司提供了详细的技术支持文档和客户支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题1: 过高的漏极电流导致MOSFET过热。
    解决方案: 增加散热片或使用更高效的散热方案,降低工作电流。
    常见问题2: MOSFET在高速切换时出现噪音。
    解决方案: 添加滤波电容或减小栅极电阻,降低信号噪声。
    常见问题3: MOSFET损坏,无法正常工作。
    解决方案: 检查电路设计,确认没有过压或过流现象,并根据技术手册进行更换或修复。

    总结和推荐


    这款IXTA102N15T系列的MOSFET是高性能的功率管理器件,适用于多种工业和消费电子产品。其低导通电阻和高电流驱动能力使得它非常适合用于高频开关电源和其他电力转换应用。此外,其出色的耐热性和易于安装的特点,使得它成为许多工程师的理想选择。总的来说,强烈推荐使用此产品,特别是对于需要高效率和可靠性的工作场合。
    以上是对IXTA102N15T系列N沟道增强型功率MOSFET的详细介绍。希望本文能为读者提供全面而详尽的产品信息。

IXTH102N15T参数

参数
最大功率耗散 455W(Tc)
Id-连续漏极电流 102A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 87nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.22nF@25V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
通道数量 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH102N15T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH102N15T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH102N15T IXTH102N15T数据手册

IXTH102N15T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 43.5456
600+ ¥ 42.0309
900+ ¥ 41.2736
库存: 480
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最小起订量为:300
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