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IXFN32N120

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 780W 30V 5V@8mA 400nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 350mΩ@ 500mA,10V 32A 15.9nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: 7348002
供应商: element14
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN32N120

IXFN32N120概述

    IXFN 32N120 MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    IXFN 32N120 是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这款器件具有国际标准封装,采用先进的制造工艺,适用于多种电源转换应用,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应、直流斩波器以及温度和照明控制等。其具备低导通电阻(RDS(on))和高电压耐受能力(VDSS),能够在宽温度范围内保持高性能。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源击穿电压 (VDSS): 1200 V
    - 栅极-源极击穿电压 (VDGR): 1200 V
    - 持续栅极电压 (VGS): ±30 V
    - 脉冲栅极电压 (VGSM): ±40 V
    - 最大连续漏电流 (ID25): 32 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 128 A
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 32 A
    - 最大雪崩能量 (EAR): 64 mJ
    - 最大雪崩能 (EAS): 4 J
    - 最大开关速度 (dv/dt): 15 V/ns
    - 典型值:
    - 门电导 (gfs): 28 - 52 S
    - 输入电容 (Ciss): 15900 pF
    - 输出电容 (Coss): 1000 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 260 pF
    - 导通时间 (td(on)): 36 ns
    - 上升时间 (tr): 42 ns
    - 关断时间 (td(off)): 98 ns
    - 开关频率 (tf): 22 ns
    - 集电极电荷 (Qg(on)): 400 nC
    - 栅极电荷 (Qgs): 70 nC
    - 源极-漏极二极管的恢复电荷 (QRM): 1.4 µC
    - 最大重复雪崩电流 (IRM): 8 A
    - 热阻抗:
    - 结到壳热阻 (RthJC): 0.16 K/W
    - 结到冷却器热阻 (RthCK): 0.05 K/W

    3. 产品特点和优势


    - 易于安装: 采用miniBLOC封装,铝氮化物隔离,使得安装过程简单快捷。
    - 节省空间: 紧凑的设计提高了电路板的空间利用率。
    - 高功率密度: 出色的RDS(on)值,使其在同类产品中表现出更高的功率密度。
    - 快速响应: 具有快速的开关时间和较低的开关损耗,有助于提高系统效率。
    - 高可靠性: 通过高温和高电压测试,确保在极端条件下的可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器: 利用其高电压耐受能力和低RDS(on),适用于各种电源转换应用。
    - 电池充电器: 快速开关速度可以减少充电时间并提高效率。
    - 开关模式电源: 高功率密度和低损耗使其成为理想选择。
    - 温度和照明控制: 在这些应用中,其高可靠性使其能够稳定运行。
    使用建议:
    - 合理布局: 确保良好的散热设计,以充分发挥其性能。
    - 外围电路匹配: 使用合适的栅极驱动电路,以避免过高电压损坏。
    - 保护措施: 为防止过流和过压,建议加入适当的保护电路。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件可与其他主流功率电子器件兼容,适用于各种工业标准电路板。
    - 支持: IXYS提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用该器件的潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 器件发热严重,如何解决?
    - A: 优化散热设计,增加散热片或散热器。
    - Q: 开关时出现异常噪音,如何处理?
    - A: 检查外围电路是否符合要求,确保合适的栅极驱动信号。
    - Q: 如何延长使用寿命?
    - A: 避免长时间超过额定工作条件使用,定期进行系统检查和维护。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IXFN 32N120是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET,特别适合于高功率密度和高可靠性需求的应用场景。其出色的电气特性和紧凑设计使其在市场上具有很强的竞争力。建议在需要高电压耐受和低RDS(on)的电源转换应用中优先考虑使用。
    对于需要在苛刻条件下工作的工程师和设计师来说,IXFN 32N120是一个值得信赖的选择。

IXFN32N120参数

参数
最大功率耗散 780W
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 400nC@ 10 V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15.9nF@25V
Id-连续漏极电流 32A
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 500mA,10V
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 盒装

IXFN32N120厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN32N120数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN32N120 IXFN32N120数据手册

IXFN32N120封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 71.259 ¥ 596.4376
5+ $ 66.15 ¥ 553.6755
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