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IXFH18N100Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=1000 V, 18 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IXFH18N100Q3
供应商: 国内现货
标准整包数: 150
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3概述

    IXFT18N100Q3 和 IXFH18N100Q3 技术手册:产品概述与应用指南

    1. 产品简介


    IXFT18N100Q3 和 IXFH18N100Q3 是由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强模式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们具备雪崩击穿等级,并且配备快速内在整流器。这些器件适用于多种高功率应用场合,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应器、直流斩波器及温度和照明控制。

    2. 技术参数


    - 电压额定值:
    - VDSS (最大反向电压): 1000 V
    - VDGR (栅极至源极最大电压): 1000 V
    - VGSS (栅极连续电压): ±30 V
    - VGSM (栅极瞬时电压): ±40 V
    - 电流额定值:
    - ID (25°C时最大漏极电流): 18 A
    - IDM (25°C时脉冲电流): 60 A
    - IA (25°C时最大工作电流): 18 A
    - EAS (雪崩能量吸收能力): 1.5 J
    - 其他关键参数:
    - dv/dt (最高电压变化率): 50 V/ns
    - PD (最大耗散功率): 830 W
    - TJ (-55°C到+150°C的工作结温)
    - TJM (最大结温): 150°C
    - Tstg (-55°C到+150°C的工作存储温度)
    - TL (引脚焊点耐热性): 300°C
    - Tsold (塑封体耐热性): 260°C
    - Md (安装扭矩): 1.13 / 10 Nm/lb.in.

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极内电阻: 这提高了开关速度并降低了功耗。
    - 国际标准封装: 增强了可靠性和通用性。
    - 低封装电感: 减少电磁干扰(EMI)。
    - 快速内在整流器: 降低损耗,提高效率。
    - 低 RDS(on) 和 QG: 提升能效,减少发热。
    优势:
    - 高功率密度: 在有限空间内提供更高功率。
    - 易于安装: 简化的安装流程,节省时间和成本。
    - 节省空间: 适合紧凑设计。

    4. 应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在多种电力电子应用中表现出色,例如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源供应器等。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,请注意散热管理,以确保结温不超过150°C。
    - 为了优化电路设计,考虑选用适当的栅极驱动电阻,从而减小开关损耗。
    - 尽量选择与应用要求相匹配的电压和电流范围,避免过压和过流情况的发生。

    5. 兼容性和支持


    IXFT18N100Q3 和 IXFH18N100Q3 支持 TO-247 和 TO-268 标准封装。IXYS 提供详细的技术文档、应用笔记和客户支持服务,确保用户能够充分利用这些器件的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确安装这些 MOSFET?
    - A: 遵循制造商的安装指南,并确保引脚焊接牢固,且焊接点承受适当的扭矩(TO-247 为1.13 / 10 Nm/lb.in.)。

    - Q: 如何防止过热?
    - A: 使用散热器并确保良好的空气流通。监测结温,确保其不超出150°C的最大限值。

    7. 总结和推荐


    IXFT18N100Q3 和 IXFH18N100Q3 是高可靠性的功率 MOSFET,具有出色的性能和广泛的应用范围。这些器件具备高功率密度、易于安装和空间节约等优势,非常适合高功率应用。我们强烈推荐在需要高性能和可靠性的电力电子项目中使用它们。

IXFH18N100Q3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1KV
栅极电荷 90nC@ 10 V
最大功率耗散 830W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@4mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.89nF@25V
Id-连续漏极电流 18A
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 9A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.46mm(Max)
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH18N100Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH18N100Q3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH18N100Q3 IXFH18N100Q3数据手册

IXFH18N100Q3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 111.5384
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