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IXTK88N30P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 600W(Tc) 20V 5V@ 250µA 180nC@ 10 V 1个N沟道 300V 40mΩ@ 44A,10V 88A 6.3nF@25V TO-264-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTK88N30P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTK88N30P

IXTK88N30P概述


    产品简介


    产品类型: 功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能: 该功率MOSFET是一款N沟道增强型场效应晶体管,适用于各种高电流和高电压应用。具有优良的电气特性和较低的导通电阻(RDS(on)),使其成为开关电源、电机驱动和汽车电子等领域的重要元件。
    应用领域:
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 电动汽车
    - 照明系统
    - 工业自动化

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 300 V
    - 连续栅极电压(VGS): ±20 V
    - 脉冲栅极电压(VGSM): ±30 V
    - 最大漏极电流(ID25): 88 A
    - 外部引线电流限制(ID(RMS)): 75 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 220 A
    - 最大雪崩能量(EAR): 60 mJ
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 2.0 J
    - 最大上升速率(dv/dt): 10 V/ns
    - 热阻(RthJC): 0.21°C/W(TO-247和TO-3P),0.15°C/W(TO-264)
    - 工作温度范围(TJ): -55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大功率耗散(PD): 600 W(TC = 25°C)

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 国际标准封装: 提供TO-247、TO-264、TO-3P和TO-268等多种封装形式。
    - 无钳位感性开关(UIS)认证: 适合于感性负载的开关操作。
    - 低封装电感: 便于驱动和保护。
    - 快速开关特性: 输出电容低,利于高速开关。
    - 良好的热管理能力: 通过优化热阻设计,提供更好的散热性能。
    优势:
    - 易于安装: 标准封装使得安装简单快捷。
    - 节省空间: 小巧紧凑的设计便于电路布局。
    - 高功率密度: 适合高功率应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一个开关电源设计中,该MOSFET作为主开关管使用,能够处理高达300V的输入电压和88A的连续电流,确保系统的稳定运行。
    - 在电动机驱动系统中,该MOSFET能够承受高电流冲击和短时过载,提高电机驱动系统的可靠性。
    使用建议:
    - 为保证长期可靠运行,建议在最高额定值附近使用时进行适当降额。
    - 使用合适的栅极驱动电路以降低开关损耗。
    - 选择合适尺寸的散热片或散热器,确保器件的热稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持多种封装形式(TO-247、TO-264、TO-3P和TO-268),与现有电路设计兼容性良好。
    支持和维护:
    - IXYS公司提供详尽的技术文档和专业技术支持,确保客户在使用过程中获得及时帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题1: MOSFET过热导致失效。
    - 解决方案: 使用散热片或散热器,并确保良好的空气流通。同时检查电路设计,确保负载和驱动条件符合器件规格要求。
    常见问题2: 开关频率过高导致效率下降。
    - 解决方案: 适当降低开关频率,或者选用更适合高频工作的MOSFET型号。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该IXYS MOSFET在电气特性和热管理方面表现出色,尤其适合高电流和高电压的应用场景。
    - 多种封装形式方便集成到不同类型的电路板设计中,且其低导通电阻和快速开关特性使其成为高性能应用的理想选择。
    推荐:
    - 鉴于其优良的性能和广泛应用的适应性,强烈推荐在需要高可靠性和高效能的场合使用该产品。

IXTK88N30P参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 44A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.3nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 180nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 300V
配置 独立式
最大功率耗散 600W(Tc)
Id-连续漏极电流 88A
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTK88N30P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTK88N30P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTK88N30P IXTK88N30P数据手册

IXTK88N30P封装设计

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