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IXTT110N10P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 480W(Tc) 20V 5V@ 250µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 100V 15mΩ@ 500mA,10V 110A 3.55nF@25V TO-268AA 贴片安装
供应商型号: ZT-IXTT110N10P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTT110N10P

IXTT110N10P概述

    # XTXQ 110N10P 和 IXTT 110N10P MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    IXTXQ 110N10P 和 IXTT 110N10P 是由IXYS公司生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件属于N-通道增强模式类型,专为高效率电源转换和开关应用设计。
    主要功能
    - 低导通电阻:IXTXQ 110N10P 的导通电阻 (RDS(on)) 在 VGS = 10 V 条件下可以达到最低 15 mΩ。
    - 高电流能力:最高可承受 110 A 的连续漏极电流和高达 250 A 的脉冲漏极电流。
    - 大电压范围:耐压 (VDSS) 可达 100 V。
    - 高可靠性:具备未钳位电感切换 (UIS) 额定值,确保在高压应用中的可靠操作。
    应用领域
    这些 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统、以及各种工业自动化设备中。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 耐压 (VDSS) | - | 100 V | - |
    | 漏极-源极断态电压 (VDGR) | - | 100 V | - |
    | 栅极-源极连续电压 (VGS) | ±20 V | - | ±20 V |
    | 栅极-源极瞬时电压 (VGSM) | - | ±30 V | - |
    | 漏极连续电流 (ID) @ TC = 25°C | 110 A | - | - |
    | 外部引线电流限制 (ID(RMS)) | - | 75 A | - |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) @ TC = 25°C | 250 A | - | - |
    | 源极二极管反向恢复时间 (trr) | - | 130 ns | - |
    | 门电荷 (Qg) @ VDS = 50 V, ID = 55 A, IG = 10 mA | - | 110 nC | - |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 国际标准封装:提供 TO-3P 和 TO-268 封装选项,便于集成到各种电路设计中。
    - 易于安装:紧凑的设计使得这些 MOSFET 在印刷电路板上的布局更为简单。
    - 低寄生电感:有助于简化驱动和保护电路的设计。
    - 高功率密度:能够高效处理大量电流,适合高功率应用。
    市场竞争力
    这些 MOSFET 凭借其优异的性能和可靠性,在众多工业和商业应用中具有很强的市场竞争力。它们不仅能够提高系统的整体效率,还能延长使用寿命,降低维护成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其高效率和低损耗特性,可以显著提高电源转换器的效率。
    - 电机驱动:快速的开关速度和低导通电阻使得这些 MOSFET 在电机控制应用中表现出色。
    - 照明系统:可用于 LED 驱动器和其他照明控制应用,确保高效的光输出。
    使用建议
    - 散热管理:由于这些 MOSFET 在高电流和高温下运行,必须注意良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路设计:采用适当的栅极驱动电路来确保快速且可靠的开关操作。
    - 保护措施:实施过流和过温保护机制,以防止损坏。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:这些 MOSFET 支持 TO-3P 和 TO-268 封装,适用于多种不同的 PCB 布局。
    - 制造商支持:IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户充分利用这些 MOSFET 的性能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 使用散热器并确保良好的气流设计 |
    | 开关频率过高导致振铃 | 使用合适的栅极电阻以抑制振铃 |
    | 驱动电压不足 | 确保栅极驱动电压达到要求的水平 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXTXQ 110N10P 和 IXTT 110N10P MOSFET 具备出色的导通电阻、高电流能力和良好的可靠性,非常适合高效率和高功率应用。它们在多种应用场景中的表现都相当出色,如开关电源、电机驱动和照明系统等。
    推荐
    强烈推荐这些 MOSFET 用于需要高效能和可靠性的应用场合。其优越的性能和广泛的应用范围使其成为许多电力电子项目的理想选择。

IXTT110N10P参数

参数
Id-连续漏极电流 110A
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 110nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
最大功率耗散 480W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.55nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
16.05mm(Max)
14mm(Max)
5.1mm(Max)
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTT110N10P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTT110N10P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTT110N10P IXTT110N10P数据手册

IXTT110N10P封装设计

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